一、Preparation of BLT Ternary Microwave Dielectric Ceramic Materials and Dielectric Performances（论文文献综述）
杨启航[1]（2021）在《Ln（La和Sm）-Al共掺SrTiO3基高介电常数微波介质陶瓷结构与性能的研究》文中认为近年来,随着人们对现代通信设备小型化、轻型化以及易携带化的要求越来越高,具备高介电常数低损耗的微波介质陶瓷成为近期的研究热点。Sr Ti O3（ABO3钙钛矿结构）因其具有高介电常数和较低的介电损耗而受到了广泛的关注。选择LnxSr1-xAlxTi1-xO3（Ln=La/Sm,0≤x≤0.4）陶瓷体系作为此次研究对象。通过Ln2O3和Al2O3共掺改善Sr Ti O3的微观结构实现微波介电性能的改善。研究随x变化,陶瓷材料的致密化程度、[Ti O6]八面体、离子有序度、氧空位和微观形貌等变化对其微波介电性能的影响。采用一步合成法制备LnxSr1-xAlxTi1-xO3陶瓷材料,所有陶瓷样品为钙钛矿单相结构。通过精修发现LaxSr1-xAlxTi1-xO3（0≤x≤0.4）陶瓷体系,Sr-O位上的阳离子与氧离子之间的键价从0.175增加至0.189,Ti-O位上的阳离子与氧离子之间的键价从0.688增加至0.723;SmxSr1-xAlxTi1-xO3（0≤x≤0.4）陶瓷体系,Sr-O位上的键价从0.175增加至0.194,Ti-O位上的键价从0.688增加至0.738。结合拉曼测试研究了TO2、Eg、TO4、A1g振动模式对A位和B位离子有序度以及[Ti O6]八面体扭曲程度的影响。随着Ln2O3和Al2O3共掺,晶格稳定性增强,[Ti O6]八面体扭曲程度增大。同时,研究发现Ln2O3和Al2O3共掺能有效地细化晶粒和增强晶粒尺寸分布的均匀性并且能一定程度上地抑制钛酸盐陶瓷材料在高温环境下易生成氧空位的缺陷。除此之外,结合TO4振动峰的变化发现键价变化揭示了[Ti O6]八面体扭曲程度与陶瓷样品的谐振频率温度系数的变化规律。在此过程中,随着x值增加该体系陶瓷材料的介电常数和谐振频率正温度系数快速减小。发现当x=0.1时,陶瓷具有高介电常数（εr>120）,较高品质因子Q×f>3500以及较大的正谐振频率温度系数τf。在此基础上,对高温烧结的高介电常数组分Ln0.1Sr0.9Al0.1Ti0.9O3（Ln=La/Sm）陶瓷样品进行降温烧结研究。随着烧结助剂Si O2和La2O3以及Li2CO3引入,将烧结温度从1500℃降低到1400℃左右,介电常数略微下降,品质因子下降;降温烧结陶瓷样品Ln0.1Sr0.9Al0.1Ti0.9O3在1375℃下烧结4小时:εr=118.9;Q×f=4058;τf=+948.1 ppm/℃。Sm0.1Sr0.9Al0.1Ti0.9O3在1400℃下烧结4小时:εr=123.8;Q×f=2943;τf=+885.2 ppm/℃。
杨鸿宇[2]（2021）在《复杂化学键理论在A0.5B0.5CO4体系微波特性调控中的应用研究》文中研究表明作为应用于电子通信领域的基础关键性材料,微波介质陶瓷具有广阔的应用前景。发展至今,陶瓷材料在微波频段介电性能的改善问题始终是研究的重点以及难点。然而目前该领域始终存在以“经验”作为指导思想展开实验,尽管存在可借鉴性,却无法从根本上利用理论指导实验,在研发新体系或对材料进行改性研究时没有“指挥棒”的作用发挥,因此寻找一种行之有效的理论成为研究学者的迫切需求。众所周知介质陶瓷的独特性体现在微波特性随晶体结构各异,通晓晶体结构对介电性能的影响程度是实现从根本上调控介电性能的关键环节。因此在保证材料烧结特性优异的前提下,评判由晶体结构因素产生的本征介电性能是研究结构-性能关系的枢纽。复杂化学键理论（简称为P-V-L化学键理论）通过描述二元晶体化学键的离子性、共价性以及电极化率等重要化学键性质参数,将晶体结构与介电性能进行了关联。随着多元晶体的二元键子式拆分理论提出,P-V-L复杂化学键理论能应用于多元体系,并有望为评判微波介质陶瓷的介电性能提供依据。因此,以改善微波介质陶瓷开发与性能研究领域存在的“盲区”现象为契机,从化学键性质参数角度出发,为了建立晶体结构与介电性能的联系,本文利用P-V-L复杂化学键理论,结合晶体结构精修与晶格振动光谱等手段,建立了A0.5B0.5CO4体系化学键性质参数与微波介电性能的关联模型,系统阐述该理论在分析晶体结构、评判以及预测微波介电性能上的优异表现,并基于模型提出了一种指导材料掺杂改性的方法,基于此,以AO-BO2-C2O5体系为验证对象,分别在低介至高介的Wolframite、Ixiolite、Trirutile与Rutile相中通过模型指导掺杂改性实验,取得了理论与实验一致的微波特性表现,验证了该模型的正确有效性。为拓展微波介质陶瓷材料在低温共烧陶瓷技术领域（LTCC）的应用前景,进一步通过影像烧结、烧结激活能以及陶瓷高温溶解性等手段,深入分析了中介ZnO-TiO2-Nb2O5系微波介质材料的低温烧结机理,制备出低温烧结下具有竞争性微波介电性能的ZnO-TiO2-Nb2O5基LTCC材料。本文的研究内容主要有:（1）在相同元素但不同取代量的(Zn1/3Nb2/3)xTi1-xO2（x=0.45,0.75,1）体系中,随x变化出现三种代表性晶体结构的微波介质陶瓷体系,涵盖低介、中介与高介电常数。利用P-V-L复杂化学键理论分别对这三种体系进行理论计算,总结对介质极化以及晶格稳定性起主要贡献的化学键种类,提出对于调控微波特性的改性途径,并通过实际掺杂实验以及研究报道进行佐证。当x=1时对应于铌铁矿Zn Nb2O6陶瓷,通过化学键离子性、电极化率以及晶格能大小判定发现Nb-O键对微波介电性能具有关键作用,该结论通过远红外反射光谱以及复介电常数函数分析得到印证。当x=0.75以及x=0.45时,体系晶体结构转变为锰钽矿Zn0.5Ti0.5NbO4以及金红石Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2,利用P-V-L复杂化学键理论评判了阳离子格位的化学键性质参数对介质极化以及晶格稳定性的贡献大小。（2）在不同元素但相同取代量的(A2+1/3C5+2/3)0.75B4+0.25O2体系中发现三种不同晶体结构的微波介质陶瓷材料,如中高介Rutile相A0.5Ti0.5Nb O4、中介Trirutile相A0.5Ti0.5Ta O4以及低介Wolframite相A0.5Zr0.5Nb O4体系。同样地,利用P-V-L复杂化学键理论评价了阳离子格位的化学键性质参数,提出了改善微波特性的方法途径,如Rutile相A0.5Ti0.5Nb O4结构中Nb-O键与Ti-O键相较于A-O键对微波介电性能的调控更加显着。为此实验通过对Ti位以及Nb位分别掺杂等价Sn4+离子与Ta5+离子,利用P-V-L复杂化学键理论结合远红外反射光谱以及本征介电性能分析清晰明了地对比了Ti位与Nb位的调控效果,并验证了P-V-L复杂化学键理论对性能调控预测的准确性。在Trirutile结构A0.5Ti0.5Ta O4材料中化学键性质参数计算表明了阳离子M2格位(如在Ni0.5Ti0.5Ta O4中该格位由Ti/Ta2占据)在晶格能稳定性方面占据主导作用,为此将Ti位替换为Sn元素,实现了大幅度提高晶格能的目的,最终达到了降低介质损耗并提高Q×f值的效果。而在Wolframite结构A0.5Zr0.5NbO4（A=Mn,Zn,Mg,Co）体系中,通过分析表明Nb-O键具有最大的离子性、电极化率以及晶格能占比。首先当A位元素从Mn直接变化至Co时,陶瓷材料的烧结特性发现明显改变,外部损耗诸如晶粒生长以及晶界损耗对Q×f值起到了不可忽视的作用。为此在不明显改变烧结特性的前提下,研究报道显示Nb位掺杂Sb5+离子对于降低介质损耗产生了最优效果,与P-V-L复杂化学键理论保持一致。（3）利用Li2O-B2O3-SiO2以及ZnO-B2O3-SiO2玻璃,研究了两种不同的ZnO-TiO2-Nb2O5基微波介质陶瓷的低温烧结表现。实验通过浸润性、溶解性、烧结激活能、动态收缩率表征分析了ZnO-TiO2-Nb2O5基LTCC材料的低温烧结动力学机理,通过玻璃在高温条件下形成液相或低共熔混合物,由于陶瓷浸润并溶解在高温玻璃相中导致烧结激活能大幅降低,使得低温烧结过程更容易进行,并通过调节玻璃助剂的含量以及工艺参数,最终在900℃烧结温度下获得了优异微波介电性能的材料体系:εr=36.7,Q×f=20000 GHz,τf=7 ppm/℃,拓展了Zn O-Ti O2-Nb2O5基微波介质陶瓷在LTCC领域的应用。
熊喆[3]（2020）在《Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究》文中研究说明高介微波介质陶瓷及LTCC微波陶瓷材料对微波器件的小型化和集成化有着至关重要的作用。本文以正交钨青铜结构的Ba3.75Nd9.5Ti18O54（BNT,εr～85）和正交钙钛矿结构的Ca0.61Nd0.26Ti O3（CNT,εr～107）高介微波陶瓷为研究对象,对其存在的Ti还原问题展开深入、系统的研究。此外,本文通过选取合适的烧结助剂制备出了BNT和CNT基高介LTCC微波介质陶瓷材料。本文主要研究成果如下:（1）首先用四种不同的低价金属离子(Cu2+、Cr3+、Al3+、Mn2+)对BNT陶瓷进行B位等量取代,有效地抑制了BNT陶瓷中弱束缚电子与晶格Ti的结合,进而阻止Ti还原的发生;而且还能降低BNT陶瓷的电导率,从而提升其Q×f值。用复合离子(Al0.5Nb0.5)4+对BNT陶瓷（BNTAN）进行等价的B位取代不仅在一定程度上可以提升陶瓷的Q×f值,还能持续降低体系的τf值,当(Al0.5Nb0.5)4+取代量为x=2时,BNT陶瓷的τf值降低到+0.3 ppm/℃。通过分析BNTAN样品的拉曼光谱发现:晶胞体积减小使得氧八面体收缩、扭曲,拉曼位移随之增加。氧八面体的收缩、扭曲造成了体系谐振频率温度系数的降低。晶胞体积的收缩减小了电子活动的空间,离子的电子云分布空间随之收缩,离子极化率变小,所以样品介电常数减小。在前人的研究基础上,对BNT陶瓷进行了A、B位的协同取代研究。用离子半径较小的Sm3+取代Ba3.75Nd9.5Ti17.5(Cr0.5Nb0.5)0.5O54（BNTCN）中的Nd3+,通过降低氧八面体的倾角来降低BNTCN体系的τf值。当Sm3+取代量为x=3时,样品的内部应变最小,Q×f值最大。（2）为了获得更高介电常数、低介质损耗的微波介质陶瓷,采用了五种不同金属离子(Cr3+、Al3+、Cu2+、Mn2+、Sn4+)对CNT陶瓷进行额外掺杂研究,发现Cr3+和Al3+比其它三种离子在抑制CNT陶瓷的Ti还原方面,效果更好,所以Cr3+和Al3+掺杂对陶瓷Q×f值的提升效果更显着。基于此,我们又设计研究了Ca0.61Nd0.26Ti1-xCrxO3（CNTC）陶瓷样品。结果表明,CNTC样品介电常数的降低不仅与样品的晶粒尺寸和离子极化率的降低有关,还依赖于Ca-O、Nd-O及B-O键的离子性的降低。当x=0.01时,CNTC样品的Q×f值达到最大,为16078GHz。在此基础上,分别用两种含Cr的复合离子(Cr0.5Ta0.5)4+和(Cr0.5Nb0.5)4+对CNT陶瓷（CNTCT、CNTCN）进行了B位取代研究。CNTCT和CNTCN样品在x=0～0.1范围内均表现为单一正交钙钛矿结构的相。而且,两种含Cr的CNTC和CNTCT陶瓷样品在770 cm-1处都出现新的拉曼强峰,这表明Cr3+对CNT晶体内部电子云分布造成了巨大影响,从而加强或产生了拉曼峰。CNTCT和CNTCN样品的Q×f值分别在x=0.05和x=0.06时达到最大,分别为14860和14590 GHz。这三种离子取代都会明显地降低CNT陶瓷的介电常数和τf值。τf值的降低主要与CNT晶格中的氧八面体畸变度的降低有关。（3）本文研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-xAlxO3（CNTA）陶瓷样品的TEM结果表明,x=0.05的样品中存在超晶格结构。这种超晶格结构可能是由于B位离子Ti/Al有序排列造成的。XPS结果表明CNTA样品中的Ti还原在x=0.01时就被完全抑制,因此其Q×f值在x=0.01时就得到了大幅度提升。虽然Al3+取代会主动产生额外的氧空位,但是氧空位会与Al’Ti结合形成Al’Ti-OV··缺陷偶极子,在一定程度上降低氧空位的迁移率,从而降低样品的电导率和电导损耗。所以CNTA样品的Q×f值随着取代量的增加而一直升高。在所设计研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-x(Al0.5Nb0.5)xO3（x=0～0.12,CNTAN）样品中,x=0.12的样品出现B位1:1有序结构,这在一定程度上有利于样品Q×f值的提升。CNTAN样品中的Ti还原在x=0.04时可以被完全抑制。Al3+和(Al0.5Nb0.5)4+取代都会大幅度、持续地提升CNT陶瓷的Q×f值并在一定程度上改善其τf值。Ca0.61Nd0.26Ti0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3样品的微波介电性能为:εr=102.4,Q×f=15300 GHz,τf=+242.5 ppm/℃。基于该陶瓷样品优异的微波介电性能,我们设计并制备了(Ca0.61Nd0.26)1-x(Li0.5Nd0.5)xTi0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3（x=0～0.8,CLNTAN）陶瓷样品。当x=0.76时,CLNTAN样品的微波介电性能为:εr=129.2,Q×f=2210 GHz,τf=-1.4ppm/℃。拉曼光谱结果表明,CLNTAN样品的拉曼峰的半峰宽的不断增大,即拉曼振动阻尼增大,表明陶瓷样品内部损耗提升,所以样品Q×f值不断降低。（4）在高温下,熔融的LB助烧剂（Li2O-B2O3-Si O2和Ba O-Zn O-B2O3组合而成）形成的液相对BNTCN陶瓷有很好的浸润性,有效地降低了陶瓷的烧结激活能。所以,BNTCN的烧结温度从1390℃降低到了950℃。当LB助烧剂掺杂量为5 wt%时,BNTCN陶瓷在950oC下可烧结致密,并拥有极具竞争性的微波介电性能:εr=73.4,Q×f=5280 GHz,τf=+7.1 ppm/℃。此外,本文选择Ba O-Zn O-Li2O-B2O3-Si O2助烧剂成功地将Ca0.244Li0.3Nd0.404Ti0.96Al0.02Nb0.02O3陶瓷的烧结温度从1230℃降低到了950℃。掺杂4 wt%BZLBS助烧剂的陶瓷样品在950oC下烧结后的微波介电性能为:εr=104.7,Q×f=2560 GHz,τf=-2.1 ppm/℃。
孙竹叶[4]（2020）在《高介电常数NPO电容器介质材料的制备及性能研究》文中认为为制备高介电常数综合性能优异的NPO陶瓷,本文采用氧化物固相反应法制备了（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Ca0.8Sr0.2）TiO3（BLT-CST）、（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Na0.5La0.5）TiO3（BLT-NLT）和（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Ca0.6La0.8/3）Ti03（BLT-CLT）三种体系的陶瓷材料,系统研究了三种体系陶瓷材料的相结构、微观形貌以及介电性能随组成的变化规律,并探讨了相结构和微观形貌对陶瓷介电性能的影响机理。主要内容如下:采用固相反应法制备xBLT-（1-x）CST（0.5 ≤x:≤0.9）介质陶瓷材料。研究该体系陶瓷的相结构随组成的变化规律,以及随之引起的陶瓷介电性能的变化。在所研究的组成范围内,陶瓷由两相构成,其中一相为偏离正常化学计量比的具有焦绿石结构的（Bi,La）2-yTi2O7-z,另一相是具有铋层状结构的 n（Ca0.8Sr0.2）TiO3·（Bi,La）4Ti3O12。xBLT-（1-x）CST陶瓷的介电常数温度特性与物相组成紧密相关。通过对xBLT-（1-x）NLT（0.4≤x≤0.75）陶瓷进行物相分析,在所研究的组成范围内,陶瓷中均检测到偏离化学计量比的焦绿石相Bi1.74Ti2O6.624。在0.4≤x≤0.65范围内,存在钙钛矿相（Na0.5La0.5）Ti03,当x继续增加到0.75时,钙钛矿相消失。在所研究的组成范围内,陶瓷同时还在铋层状结构相（Nao.sLao.5）TiO3·（Bi0.9La0.1）4Ti3O12,xBLT-（1-x）NLT 陶瓷的高介电常数很可能与此相的存在有关。通过对xBLT-（1-x）CLT（0.3 ≤ x≤0.7）陶瓷进行物相分析,在所研究的组成范围内,陶瓷中均检测到偏离化学计量比的焦绿石相Bi1.74Ti2O6.624。在0.3 ≤ x ≤ 0.4范围内,存在钙钛矿相（Ca0.6La0.8/3）TiO3,当x继续增加到0.5时,钙钛矿相消失。在xBLT-（1-x）CLT 陶瓷中还存在铋层状结构相 n（Ca0.6Lar0.8/3）Ti03·（Bi0.9La0.1）4Ti3012,在 0.3 ≤x≤0.6组成范围内,n=1,当x增大到0.7时,n=0.5。当x=0.5时,陶瓷介质材料满足NP0特性,其介电常数K～130,介电损耗tanδ～0.0015,介电常数温度系数TCK～-6.7ppm/℃。
姚亚丽[5]（2020）在《掺杂剂对LiTaO3基陶瓷介电性能的影响》文中研究指明钽酸锂（LiTaO3）晶体的各种性能备受到研究人员的普遍关注,在其单晶方面和薄膜方面研究较多。因LiTaO3多晶陶瓷在烧结方面有一定的难度,所以对LiTaO3多晶的陶瓷的组织结构方面以及在其介电性能方面的应用受到了限制。本文主要选取的是烧结的方法选取无压,选用Bi2O3颗粒、CoO颗粒以及MnO2掺杂获取LiTaO3基陶瓷,通过调节掺杂剂掺杂量以及控制烧结温度研究其介电性能的影响。结果表明:当烧结温度为1250℃时,通过制备掺杂Bi2O3量分别为0.5%、1.5%、2.5%、3.5%成分的LiTaO3陶瓷（BLT）可知,在Bi2O3掺杂量是2.5wt%时,最大相对密度为76.7%。介电频谱显示,在一定频率条件下,伴随Bi2O3不断增加,介电常数有先提高后逐渐降低的趋势,2.5BLT陶瓷样品介电常数的数值最大为80;介电损耗有先下降后持续增加的现象,2.5BLT最小。介电温谱得出,在测试频率条件是10k Hz,641.5℃下介电常数达到峰值310.5,介电损耗伴随温度的不断增加持续上涨。从不同的烧结的温度条件下烧结制备的2.5BLT陶瓷的结构以及性能结果可知,2.5BLT陶瓷的相对密度的大小伴随温度的改变先缓慢增加后持续下降,2.5BLT陶瓷在1250℃烧结最致密。介电频谱分析,在一定频率条件下,伴随烧结温度持续升高,介电常数先逐渐增加后不断降低。1250℃下介电常数的数值最大为68,介电损耗最小。当烧结温度为1250℃时,通过制备掺杂CoO量分别为1wt%、3wt%、5wt%和7wt%成分的LiTaO3基陶瓷（CLT）可知,相对密度主要受Co离子改变的影响,呈现先增至峰值后逐步衰减的走向。当Co离子为5wt%时,相对密度最大为89.43%。Co离子对室温下CLT陶瓷样品介电常数大小作用相对大一点,其对介电损耗的作用弱一些,5CLT的介电常数的数值最大为524.8,介电损耗最小为0.194。介电温谱展现,CLT陶瓷样品介电常数伴随Co离子的掺杂量的多少的一直增加,先达到峰值3055后逐步衰减。从不同温度下制备的5CLT陶瓷的结构以及介电性能结果得出,陶瓷的相对密度伴随温度的影响,浮现先增至峰值后逐步衰减的情况,在1250℃烧结最致密。介电频谱显示,在一定频率条件下,介电常数因烧结温度持续改变,呈现先逐渐增加然后缓慢降低的形势。5BLT的介电常数在1250℃时峰值为543.8,介电损耗最小为0.07。由介电温谱得,1250℃下5BLT陶瓷样品介电常数峰值最大为3059.8,介电损耗跟随温度的改变一直增加。当烧结温度为1300℃时,通过制备掺杂MnO2量为1wt%、3wt%、5wt%和7wt%成分的LiTaO3基陶瓷（MLT）可知,相对密度伴随二氧化锰掺杂量的改变,显露出先增加后下降的走向。当MnO2为5wt%时,相对密度最大为91.2%。在LiTaO3中掺杂锰离子可以有效地影响晶粒长大,晶粒大小随MnO2的改变而增大。室温频谱得出,介电常数伴随MnO2的改变,展现先增至峰值后降低的情形,5wt%时达到峰值14779.52,介电损耗最小为0.02。介电温谱显示:5MLT陶瓷样品介电常数峰值为5209.8,损耗最小为2.34。从不同的烧结的温度条件制备的5MLT陶瓷的微观结构与其介电性能结果分析,1250℃烧结温度时,5MLT陶瓷最为致密。介电频谱表露,一定频率条件下,介电常数伴随烧结温度的不断改变,有先增至峰值后逐步衰减的趋势。1250℃时介电常数达900左右,介电损耗最小为0.167。介电温谱得出1250℃下5MLT陶瓷样品介电常数的数值最大为6397.2,1350℃下5MLT陶瓷介电常数的数值最大为8200.5。1250℃下5MLT陶瓷的介电损耗数值最小为0.64。
王丽珠[6]（2020）在《BaO-ZnO-SiO2系陶瓷的制备、改性及微波介电性能研究》文中进行了进一步梳理BaO-ZnO-SiO2系陶瓷具有较低的介电常数和介电损耗,成为毫米波器件用候选材料之一。本文选择BaO-ZnO-SiO2三元系陶瓷为研究对象,利用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电镜（SEM）和网络分析仪等仪器系统地研究了陶瓷的制备工艺、相组成、显微组织和微波介电性能,并从晶体化学键参数和晶格振动出发,探讨了其微波介电性能的变化机理,最终制备出微波介电性能良好的Ba Zn2Si2O7基LTCC陶瓷材料。采用固相烧结法制备了Ba2Zn Si2O7和Ba Zn2Si2O7陶瓷,并研究了其介电性能。Ba2Zn Si2O7陶瓷经1115℃烧结后相对密度可达96.9%,具有较好的微波介电性能:εr=8.6,Q×f=19870GHz,τf=-35ppm/℃。Ba Zn2Si2O7陶瓷经1125℃烧结后相对密度为97.4%,具有较优的微波介电性能:εr=9.48,Q×f=28000GHz,τf=-57ppm/℃。随着烧结温度的升高,Ba Zn2Si2O7陶瓷均只存在单斜结构的LT-Ba Zn2Si2O7相,其介电常数和Q×f值均呈现先增大后减小的趋势,介电常数的变化与其化学键离子性和Ag（1）模的拉曼位移相关,Q×f值则由其总晶格能和Ag（1）模的拉曼半峰宽决定,其τf值与Si-O键的键价正相关。研究了Sr2+、Ca2+离子取代Ba2+对Ba Zn2Si2O7陶瓷结构和介电性能的影响。适量Sr2+离子取代Ba2+会促使陶瓷主晶相结构由单斜转变为正交,适量Ca2+离子取代不会改变陶瓷主晶相结构,但会生成Zn2SiO4和Ca2Zn Si2O7第二相。当Sr2+、Ca2+离子完全取代后,陶瓷中存在Sr/Ca2Zn Si2O7相和Zn2SiO4相。随着Sr2+离子取代量的增加,Ba1-xSrxZn2Si2O7陶瓷的介电常数逐渐减小,Q×f值先增大后减小,在x=0.2时具有最大值,这与其分子极化率和Ag（1）模振动特性相关。最佳烧结温度所得Ba1-xCaxZn2Si2O7陶瓷的介电常数、Q×f值和τf值均随着取代量的增大而逐渐减小,这主要与其相对密度及Zn2SiO4和Ca2Zn Si2O7相的生成相关。研究了Co2+、Ni2+离子取代对Ba0.8Sr0.2Zn2Si2O7陶瓷结构和介电性能的影响。Co2+、Ni2+离子取代均会使陶瓷主晶相结构由正交转变为单斜,Co2+离子可以在Ba0.8Sr0.2Zn2Si2O7晶格中无限固溶,但Ni2+离子在其晶格中固溶度有限,当x≥1.5时Ba0.8Sr0.2Zn2-xNixSi2O7陶瓷物相组成中包含Ba Si2O5和Ni O相。随Ni2+离子取代量增加,最佳烧结温度所得Ba0.8Sr0.2Zn2-xNixSi2O7陶瓷的介电常数、Q×f值和τf值均逐渐减小。随着Co2+离子取代量增加,最佳烧结温度所得Ba0.8Sr0.2Zn2-xCoxSi2O7陶瓷的介电常数逐渐减小,Q×f值和τf值均先增大后减小。Ba0.8Sr0.2Zn1.5Co0.5Si2O7陶瓷经1185℃烧结后具有较好的微波介电性能:εr=8.7,Q×f=31442GHz,τf=-49ppm/℃。Ba5Si8O21复合掺杂不仅可以将Ba0.8Sr0.2Zn1.5Co0.5Si2O7陶瓷的τf值调节近零,而且可以降低复合陶瓷的致密化温度至1080℃。Sr Ti O3复合掺杂时会与Ba0.8Sr0.2Zn1.5Co0.5Si2O7相发生反应生成Sr2Zn Si2O7相和未知相,因而不能很好的调节复合陶瓷的τf值。随着Ba5Si8O21含量的增加,最佳烧结温度所得（1-x）Ba0.8Sr0.2Zn1.5Co0.5Si2O7-x Ba5Si8O21陶瓷的介电常数和Q×f值逐渐减小,τf值逐渐向正值方向增大。当x=0.55时,复合陶瓷经1080℃烧结后具有较优的微波介电性能:εr=7.785,Q×f=23533GHz,τf=1.8ppm/℃。添加1wt%LMS烧结助剂即可将（1-x）Ba0.8Sr0.2Zn1.5Co0.5Si2O7-x Ba5Si8O21陶瓷的烧结温度降低至900℃。0.45Ba0.8Sr0.2Zn1.5Co0.5Si2O7-0.55Ba5Si8O21+1wt%LMS陶瓷经900℃烧结后显微组织较均匀致密,微波介电性能较优:εr=7.6,Q×f=19620GHz,τf=-3ppm/℃。
李志涛[7]（2020）在《钛酸铋钠基钙钛矿型无铅压电陶瓷性能与机理研究》文中研究指明压电陶瓷作为一类重要的电子功能材料,广泛应用于医学、声学、机械、电子、自动化等领域。当前对电子产品的环境友好性要求日益迫切,压电陶瓷的无铅化是未来的研究方向。钛酸铋钠基钙钛矿型压电陶瓷被认为是最具应用前景的无铅压电材料之一,具备其它无铅压电陶瓷体系无法媲美的优点,例如高场致应变、高振速下好的性能稳定性、良好的可重复性、易于大规模制备等。但是,钛酸秘钠基无铅压电陶瓷体系较低的退极化温度限制了其应用范围。本文以钛酸铋钠基钙钛矿型无铅压电陶瓷为研究对象,探索提高其退极化温度、场致应变以及优化大功率应用特性的方法。系统研究了缺陷、离子替代以及晶粒尺寸对钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的相结构、介电、铁电、压电性能及其温度稳定性等的影响。研究了不同热处理工艺对 0.94（Bi0.5Na0.5）TiO3-0.06BaTiO3（BNT-6BT）无铅压电陶瓷退极化温度的影响。通过对变温介电和变温场致应变的研究,发现淬火工艺使BNT-6BT陶瓷的退极化温度从96℃提高至136℃。通过X射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy,XPS）、电子顺磁共振谱（Electron paramagnetic resonance,EPR）等测试表明,陶瓷中的氧空位缺陷是退极化温度提高的内在机制;淬火工艺在陶瓷中引入氧空位缺陷,其对铁电畴壁具有钉扎作用,使陶瓷可以在更宽的温度范围内保持铁电性,进而提高了退极化温度。基于上述提高退极化温度的氧空位缺陷机制,研究了 0.8（Bi0.5Na0.5）TiO3-0.2（Bi0.5K0.5）TiO3（BNT-BKT）体系中具有氧缺陷的第三组元BaInO2.5（BaIn）的引入对陶瓷退极化温度、铁电及压电等性能的影响。变温介电谱表明,含氧缺陷第三组元的引入,提高了退极化温度,最高可提高90℃;同时也提高了压电常数。变温复阻抗的研究说明了活化能与氧缺陷组分含量的关系。利用组分替代的方法,在典型铁电体BNT-BT中引入第三组元（Bi0.5Na0.5）（Mn1/3Nb2/3）O3（BNMN）,成功制备了 BNT-BT-BNMN三元弛豫铁电体,随着BNMN引入含量的提高,其铁电性和压电性显着变化。通过X射线衍射（X-ray diffraction,XRD）测试确定了 BNT-BT-xBNMN三元体系的准同型相界（Morphotropic Phase Boundary,MPB）为 x=0.005-0.02 之间,在 x=0.02 组分具有最高压电常数150pC/N。在x=0.0275组分获得了 0.28%的场致应变,与未替代组分相比提高了约一倍。采用非化学计量比的方法,研究了在 0.88（Bi05Na0.5）TiO3-0.08（Bi0.5K0.5）TiO3-0.04（Bi0.5Li0.5）TiO3（BNT-BKT-BLT）三元陶瓷中引入过量的低熔点易挥发元素K、Na对陶瓷的微观结构、大功率特性以及温度稳定性等的影响。发现过量的K、Na促进了晶粒尺寸的长大,与未过量体系相比,晶粒尺寸增长了约10倍。阻抗谱和变温介电谱的测试表明,晶粒尺寸较大的体系具有更高的机械品质因数和温度稳定性。随后,在K、Na过量体系中加入Mn02,引入了缺陷偶极子,进一步提升了陶瓷的机械品质因数及温度稳定性。
董雪[8]（2019）在《Mg2Al4Si5O18系微波介质陶瓷材料制备及性能研究》文中提出微波介质陶瓷（Microwave Dielectric Ceramic）是应用型的陶瓷,这种陶瓷在300MHz到300GHz的微波频段的电子芯片中可以作为介质,并且也可以实现作为器件的功能。微波介质陶瓷有三个关键的性能参数,这三个参数分别为相对介电常数（εr）、品质因数（Q×f）与谐振频率温度系数（τf）,它们与微波器件及设备的应用方向、损耗大小和稳定性高低密切相关。据研究报道,堇青石(Mg2Al4Si5O18)具有低介电常数,高品质因数的特点。本文对Mg2Al4Si5O18体系陶瓷进行了系统全面的研究。通过用元素非化学计量比、两相复合、离子取代等方法系统研究了该材料的晶体结构和晶体结构变化对微波介电性能的影响。1.本论文通过用固相反应的方法,制备了二价镁离子的非化学计量比的Mg（2+2x）Al4Si5O18（x=0.00,0.025,0.05,0.075,0.10）微波介质陶瓷。随着MgO的量的增加,陶瓷的品质因数先增大后减少,介电常数在3.25到4.8之间,频率温度系数在-32ppm/℃到-34ppm/℃之间,而烧结温度在1425到1440℃之间。当x=0.075时,Mg（2+2×0.075）Al4Si5O18微波介质陶瓷在1430℃的温度下烧结三小时后得到了最优的微波介电性能:εr=4.75,Q×f=76,000GHz,τf=-34 ppm/℃。2.本文研究了两相复合而成的Mg2Al4Si5O18+x wt.%Mg2SiO4（x=0-80）微波介质陶瓷。通过研究,证明了Mg2Al4Si5O18和Mg2SiO4两相可以共存,且没有其它相生成。并进一步分析了该微波介质陶瓷的晶体结构、微观形貌的改变对该复合陶瓷的微波介电性能的影响。复合相陶瓷Mg2Al4Si5O18+x wt.%Mg2SiO4（x=0-80）的品质因数随着参数x的值增加,产生了先上升后下降的变化。当x=50,烧结温度为1340℃时,样品取得了最优的微波介电性能:εr=5.73,Q×f=76,374GHz,τf=-24ppm/℃。3.本文研究了Mg2+离子位的部分取代对于(Mg0.8R0.2)2Al4Si5O4（R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd）陶瓷的微观结构的改变及微波介电性能的影响。对于(Mg0.8R0.2)2Al4Si5O4陶瓷,当R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Nd时,主晶相保持相同;而Sr和Zn取代后有第二相产生,这意味着Sr和Zn的离子取代是部分离子取代。Ba取代后生成了BaMg2(Al6Si9O30)相。研究发现,用Co和Zn对Mg2Al4Si5O18陶瓷取代Mg2+离子位可以提高样品的品质因数。当R=Co,在1400℃烧结(Mg0.8Co0.2)2Al4 Si5O4陶瓷时,得到的陶瓷样品产生了最佳的微波介电性能:εr=4.86,Q×f=63,828GHz,τf=-32ppm/℃。4.为调节Mg2Al4Si5O18陶瓷的频率温度系数,本文研究了（1-x wt.%）Mg2Al4Si5O18+x wt.%CaTiO3（x=5-25）的波介质陶瓷,通过测试陶瓷的微波介电性能发现:随着CaTiO3摩尔百分含量的增加,陶瓷的介电常数先增大后减小;陶瓷的品质因数也随着CaTiO3质量百分比的增加而变小;并且CaTiO3的加入使得该体系的烧结温度降低。当x=25时,75wt.%Mg2Al4Si5O18+25wt.%CaTiO3陶瓷在1370℃的烧结温度下烧结三小时后取得了优异的微波介电性能:εr=5.9,Q×f=7,822GHz,τf=-19ppm/℃。
刘贺[9]（2019）在《B2O3-P2O5-SiO2基微波介质陶瓷的制备与性能研究》文中研究表明氧化硅基微波介质陶瓷介电性能优良,但因其烧结温度高及烧结过程中的相转变难以控制引起陶瓷内部微裂纹等缺点限制了氧化硅基陶瓷的使用。B2O3-P2O5-SiO2（BPS）基微波介质陶瓷以氧化硅为原料,B2O3-P2O5助烧并以BPO4晶相形式析出增强陶瓷基体,具有低烧结温度,较低的介电常数（er）,和低介电损耗等优点因此作为微波介质基板材料有广阔的应用前景。以SiO2,H3BO3,NH4H2PO4为原料采用固相烧结法制备BPS基微波介质陶瓷,通过DSC-TG曲线系统的研究了预烧温度、升温速率、保温时间对预烧坯体的影响,制定了合适的预烧工艺。并研究了不同SiO2原料以及BPS原料成分比例及烧结温度对BPS陶瓷微波介电性能的影响。以及三元ZnO-B2O3-SiO2（ZBS）玻璃,多元Li2O-MgO-ZnO-B2O3-SiO2（LMZBS）玻璃作为助烧剂对BPS低温烧结性能,介电性能的影响,LMZBS玻璃对BPS陶瓷与Ag颗粒兼容性的影响,并利用CaTiO3对BPS陶瓷频率温度系数的调节。研究结果表明:（1）对于提纯硅藻土、方石英SiO2粉末两种SiO2源,以提纯硅藻土作为SiO2源制备多孔BPS基微波介质陶瓷,当H3BO3-NH4H2PO4（mol比1.05:1）添加量为10wt%在340℃预烧后,并在1000℃下烧结2h制备多孔陶瓷,体积密度为1.81g/cm3,气孔率为56.42%,此时陶瓷介电性能为er=2.21,Q×f=5758GHz,tf=-14.61ppm/℃;以方石英SiO2粉末为原料,当H3BO3-NH4H2PO4（mol比1.05:1）添加量为30wt%预烧温度为850℃,烧结温度为1000℃烧结时间2h,陶瓷的体积密度为2.31g/cm3,此时的微波介电性能最佳:er=3.97,Q×f=16040GHz,tf=-24.72ppm/℃;（2）ZBS与LMZBS玻璃烧结助剂对BPS陶瓷的烧结特性及微波介电性能有不同程度的影响。实验结果表明,添加3wt%的ZBS可以在900℃实现BPS陶瓷的致密化烧结,其微波介电性能为:er=4.0,Q×f=16702GHz,tf=-24ppm/℃。添加4wt%LMZBS的BPS陶瓷可在900℃实现致密化烧结,其微波介电性能为:er=4.04,Q×f=22600GHz,tf=-22ppm/℃;（3）在添加4wt%LMZBS助烧剂的基础上掺杂一定量CaTiO3对BPS陶瓷的谐振频率温度系数有明显的改善。添加量为3wt%时,900℃烧结2h后BPS陶瓷的谐振频率温度系数近零,其介电性能为:εr=4.26,Q×f=19600GHz,τf=-5.74ppm/℃。
王永锋[10]（2018）在《BNT-BT基反铁电储能陶瓷的设计、制备及电学性能研究》文中进行了进一步梳理钛酸铋钠-钛酸钡（BNT-BT）基钙钛矿型无铅反铁电材料具有非常优异的电学性能,是目前公认的有可能替代锆钛酸铅系材料（PZT）的候选者之一,其可以通过掺杂一些活性元素或化合物而形成准同型相界（MPB）组分的固溶体,使得掺杂后的组分不仅具有高的介电性能,还能兼具较高的储能性能。本文以BNT-BT为研究对象,通过A/B位元素（La、Zr、Sn、Mg、Nb、Sr）或化合物（KNN、Mg4Nb2O9等）的成分掺杂改性以及烧结参数的工艺改性研究,采用固相反应合成法制备样品,通过SEM、XRD、精密阻抗分析仪、铁电分析仪、热重分析仪测量研究了该陶瓷的显微组织、晶体结构、体积密度、压电性能、介电性能、抗击穿性能、储能性能以及相变行为等,揭示了掺杂元素或化合物在晶体结构中的存在形式及对其性能的影响,阐明了各体系陶瓷准同型相界存在的规律。得到主要的研究结果如下。1.球磨时间、坯料压力、煅烧温度和烧结温度等工艺参数对BNT-BT基陶瓷的致密度和晶粒尺度影响显着。当球磨时间控制在15h左右,采用300MPa压制成型,在800℃下锻烧并在1150℃左右下进行最终烧结,所获得的陶瓷材料成瓷理想、致密度高且晶粒细小。2.在[（Bi1/2Na1/2）0.94Ba0.06]（1-1.5x）LaxTiO3（x=0,0.02,0.04,0.06）陶瓷中,由于La元素的加入引起了钙钛矿相的（200）衍射峰的劈裂,表明A位掺杂La可使陶瓷在室温下出现准同型相界。陶瓷的介电损耗tan δ在T<Tc时随着电场频率的升高而增加,在T>Tc时随着电场频率的升高而减小;当x增加到0.06时,最大极化强度减小到7.2μC/cm2,Pr剩余极化强度则由2.5 μc/cm2减小到0.65 μC/cm2,明显低于未掺杂（x=0）陶瓷的最大极化强度15 μC/cm2。当La元素含量在0.02时,储能密度最大达到0.34J/cm3。3.在[（Bi1/2Na1/2）0.92 Ba0.05La0.02]ZrxTi（1-x）03（x=0,0.02,0.04,0.06）陶瓷中,随着Zr含量的增加,材料的MPB区域进一步扩大。随着Zr含量的增加,样品中晶粒尺寸在逐渐减少的同时,介电常数也在逐渐减少,而介电弛豫弥散度相应增加,低温段的介电常数峰有明显的频率色散特征,而高温段的介电常数峰的频率色散特征不明显,即在MPB区域内频率色散不明显;材料的最大抗击穿强度和储能密度均先增加后减小,当Zr含量为0.04时,抗击穿强度达到最大值90 kV/cm,而储能密度达到最大值1.58J/cm3。4.在[（Bi1/2Na1/2）0.92Ba0.05La0.02][SnxZr（0.95-x）Ti0.05]O3（x=0,0.03,0.06,0.09）陶瓷中,随着Sn元素含量的增加,组织形貌上没有得到明显变化,晶粒尺寸则有明显变大趋势,钙钛矿结构的（200）衍射峰分裂现象也逐渐消失而（111）峰逐渐锐化,说明四方相晶体结构逐渐减少而三方相结构比例增加,即Sn元素掺杂会导致陶瓷材料逐渐远离三方和四方相共存区,从而使其从反铁电陶瓷转变为铁电陶瓷,而显着恶化了该体系材料的电学性能。5.在采用KNaNbO3化合物和A位Sr元素掺杂制备的三元体系BNT-BT-KNN陶瓷中,随着Sr元素掺杂量的增加,陶瓷样品晶粒尺寸明显趋于变小,当x≥0.05时,晶粒平均尺寸在3μm左右;三元陶瓷仍为纯的钙钛矿相结构,无其他杂相衍射峰存在,Sr含量的增加导致（200）峰的分裂现象更为显着,表明Sr元素掺杂能促进三方相-四方相的转变和有效扩大MPB区域,提高了该体系材料的居里温度。虽然介电常数最大值从5000减小到3500左右,但是材料的介电损耗明显降低、介电性能稳定性大幅提升。6.在[（Bi1/2Na1/2）0.92Ba0.05La0.02]（Mg1/3Nb2/3）xTi（1-0.5x）O3（x=0.01,0.03,0.05,0.07）陶瓷中,随着B位掺杂化合物Mg4Nb2O9含量的增加,陶瓷材料的晶粒尺寸逐渐变小,尽管储能性能低于单元素掺杂,但剩余极化强度Pr降幅明显,从x=0.01时的38.9μC/cm2降为x=0.05时的10.4 μC/cm2,且最大极化强度Pmax和剩余极化强度Pr之间的差值越来越大,说明Mg、Nb元素的加入增加了反铁电相的转变趋势。7.BNT-BT基反铁电陶瓷的储能性能与MPB区域的范围密切相关,而MPB区域范围可通过A位和B位以及化合物掺杂进行调整。掺杂元素的引入导致材料容忍因子值发生变化,当容忍因子介于0.7530-0.7803时,单元素掺杂的陶瓷材料存在较大范围的MPB区域,当Ti或Zr元素在组成中占主导地位时,其含量在0.92mol以上,均存在MPB区域,这与含铅PZT陶瓷研究报道的仅当Zr:Ti=52:48时才存在MPB区不一致,意味着含铅反铁电材料和无铅反铁电材料的反铁电区域以及相结构有很大的差异。
二、Preparation of BLT Ternary Microwave Dielectric Ceramic Materials and Dielectric Performances（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Preparation of BLT Ternary Microwave Dielectric Ceramic Materials and Dielectric Performances（论文提纲范文）
（1）Ln（La和Sm）-Al共掺SrTiO3基高介电常数微波介质陶瓷结构与性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 微波介质陶瓷的实际应用 |
| 1.2 微波介质陶瓷简介 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的介电性能 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的发展史 |
| 1.2.3 国内外微波介质材料的研究现状 |
| 1.2.4 SrTiO_3介质陶瓷研究现状 |
| 1.3 课题研究背景与内容 |
| 1.3.1 研究背景 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 2 Ln_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的制备与结构性能表征手段 |
| 2.1 实验所用化学原料与仪器 |
| 2.2 Ln_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3微波介质陶瓷的制备过程 |
| 2.3 Ln_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3微波介质陶瓷的性能测试与表征 |
| 3 Ln_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的微波介电性能研究 |
| 3.1 本章引言 |
| 3.2 La_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3微波陶瓷的制备 |
| 3.3 La_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的结构演变和微波介电性能 |
| 3.3.1 La_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O陶瓷的密度变化 |
| 3.3.2 La_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的物相与晶体结构分析 |
| 3.3.3 La_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的微观形貌分析 |
| 3.3.4 La_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的微波介电性能 |
| 3.4 Sm_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的结构演变和微波介电性能 |
| 3.4.1 Sm_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的密度变化 |
| 3.4.2 Sm_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的物相与晶体结构分析 |
| 3.4.3 Sm_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的微观形貌分析 |
| 3.4.4 Sm_xSr_(1-x)Al_xTi_(1-x)O_3陶瓷的微波介电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 Ln_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3微波介质陶瓷的降温烧结研究 |
| 4.1 本章引言 |
| 4.2 La_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的降温烧结 |
| 4.2.1 La_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的密度变化 |
| 4.2.2 La_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的物相分析 |
| 4.2.3 La_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的微观形貌分析 |
| 4.2.4 La_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的微波介电性能 |
| 4.3 Sm_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的降温烧结 |
| 4.3.1 Sm_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的密度变化 |
| 4.3.2 Sm_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的物相分析 |
| 4.3.3 Sm_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的微观形貌分析 |
| 4.3.4 Sm_(0.1)Sr_(0.9)Al_(0.1)Ti_(0.9)O_3陶瓷的微波介电性能 |
| 4.4 本章小节 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
（2）复杂化学键理论在A0.5B0.5CO4体系微波特性调控中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的发展历程与国内外研究进展 |
| 1.2.1 发展历程 |
| 1.2.2 国内外研究进展 |
| 1.3 微波介电性能参数 |
| 1.3.1 相对介电常数 |
| 1.3.2 品质因数 |
| 1.3.3 谐振频率温度系数 |
| 1.4 微波介质陶瓷主要体系 |
| 1.4.1 低介微波介质陶瓷 |
| 1.4.2 中介微波介质陶瓷 |
| 1.4.3 高介微波介质陶瓷 |
| 1.5 多元体系中复杂化学键理论的应用 |
| 1.5.1 P-V-L复杂化学键理论 |
| 1.5.2 多元晶体的二元键子式拆分理论 |
| 1.6 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 微波介质陶瓷的制备和表征方法 |
| 2.1 微波介质陶瓷的制备 |
| 2.2 陶瓷样品的微波介电性能测试 |
| 2.3 陶瓷样品的宏观与微观特性的测试 |
| 2.3.1 表观密度与致密度及气孔率的测试 |
| 2.3.2 X射线衍射技术与利特沃尔德晶体结构精修分析 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜与透射电子显微镜分析 |
| 2.3.4 拉曼散射光谱分析 |
| 2.3.5 远红外反射光谱及太赫兹时域光谱分析 |
| 2.3.6 影像式烧结与差热分析 |
| 第三章 三元ZnO–TiO_2–Nb_2O_5系晶体结构与微波介电性能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 铌铁矿ZnNb_2O_6微波介质陶瓷的研究 |
| 3.2.1 ZnNb_2O_6陶瓷材料的制备及测试 |
| 3.2.2 ZnNb_2O_6陶瓷材料的晶体结构分析 |
| 3.2.3 ZnNb_2O_6陶瓷材料的微观形貌与微波介电性能分析 |
| 3.2.4 ZnNb_2O_6陶瓷材料的化学键性质参数分析 |
| 3.2.5 ZnNb_2O_6陶瓷材料的远红外反射光谱与本征介电性能分析 |
| 3.2.6 P-V-L化学键理论指导ZnNb_2O_6陶瓷的改性研究分析 |
| 3.3 小半径离子取代锰钽矿Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4微波介质陶瓷的研究 |
| 3.3.1 Co/Ta离子取代Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的制备及测试 |
| 3.3.2 Co/Ta离子取代(Zn_(1-x)Co_x)_(0.5)Ti_(0.5)(Nb_(1-y)Ta_y)O_4的晶体结构分析 |
| 3.3.3 Co/Ta 离子取代(Zn_(1-x)Co_x)_0.5Ti_0.5(Nb_(1-y)Ta_y)O_4的微观形貌分析 |
| 3.3.4 Co/Ta离子取代(Zn_(1-x)Co_x)_(0.5)Ti_(0.5)(Nb_(1-y)Ta_y)O_4的微波介电性能分析 |
| 3.3.5 Co/Ta离子取代(Zn_(1-x)Co_x)_(0.5)Ti_(0.5)(Nb_(1-y)Ta_y)O_4的远红外反射光谱 |
| 3.3.6 复合Co/Ta离子取代(Zn_(1-x)Co_x)_(0.5)Ti_(0.5)(Nb_(1-y)Ta_y)O_4的晶体结构分析 |
| 3.3.7 复合Co/Ta离子取代(Zn_(1-x)Co_x)_0.5Ti_0.5(Nb_(1-y)Ta_y)O_4的微观形貌分析 |
| 3.3.8 复合Co/Ta离子取代(Zn_(1-x)Co_x)_(0.5)Ti_(0.5)(Nb_(1-y)Ta_y)O_4的微波介电性能 |
| 3.4 大半径离子取代锰钽矿Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4微波介质陶瓷的研究 |
| 3.4.1 x Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4–(1-x)Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2陶瓷的制备及测试 |
| 3.4.2 x Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4–(1-x)Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2的晶体结构演变分析 |
| 3.4.3 x Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4–(1-x)Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2的微观形貌分析 |
| 3.4.4 x Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4–(1-x)Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2的微波介电性能分析 |
| 3.4.5 x Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4–(1-x)Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2的远红外反射光谱分析 |
| 3.5 P-V-L化学键理论指导Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的改性研究分析 |
| 3.6 离子取代金红石Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2微波介质陶瓷的研究 |
| 3.6.1 Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2陶瓷的晶体结构演变分析 |
| 3.6.2 Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2陶瓷的微观形貌与致密度分析 |
| 3.6.3 Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2陶瓷的化学键性质参数与微波介电性能分析 |
| 3.6.4 基于不同离子取代ZnO–TiO_2–Nb_2O_5离子性/共价性的验证研究 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 不同类型AO–BO_2–C_2O_5陶瓷的制备及介电性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Rutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4微波介质陶瓷的研究 |
| 4.2.1 Rutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的制备及测试 |
| 4.2.2 Rutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的晶体结构与微观结构分析 |
| 4.2.3 Rutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的微波介电性能分析 |
| 4.2.4 Rutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的远红外反射光谱分析 |
| 4.3 基于Sn~(4+)离子与Ta~(5+)离子取代Co_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4微波介质陶瓷的研究 |
| 4.3.1 离子取代Co_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的制备及测试 |
| 4.3.2 离子取代Co_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的晶体结构演变分析 |
| 4.3.3 离子取代Co_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的微观形貌与致密度分析 |
| 4.3.4 离子取代Co_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的微波介电性能分析 |
| 4.3.5 离子取代Co_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的远红外反射光谱分析 |
| 4.4 Trirutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)TaO_4微波介质陶瓷的研究 |
| 4.4.1 Trirutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)TaO_4陶瓷的制备及测试 |
| 4.4.2 Trirutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)TaO_4陶瓷的晶体结构演变分析 |
| 4.4.3 Trirutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)TaO_4陶瓷的微观形貌与致密度分析 |
| 4.4.4 Trirutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)TaO_4陶瓷的微波介电性能分析 |
| 4.4.5 Trirutile结构A_(0.5)Ti_(0.5)TaO_4陶瓷的远红外反射光谱能分析 |
| 4.5 温度稳定型Trirutile结构Ni_(0.5)Sn_(0.5)TaO_4微波介质陶瓷的研究 |
| 4.5.1 温度稳定型Trirutile结构Ni_(0.5)Sn_(0.5)TaO_4陶瓷的制备及测试 |
| 4.5.2 温度稳定型Trirutile结构Ni_(0.5)Sn_(0.5)TaO_4陶瓷的晶体结构分析 |
| 4.5.3 温度稳定型Trirutile结构Ni_(0.5)Sn_(0.5)TaO_4陶瓷的微观形貌分析 |
| 4.5.4 温度稳定型Trirutile结构Ni_(0.5)Sn_(0.5)TaO_4陶瓷的微波介电性能 |
| 4.6 Wolframite结构A_(0.5)Zr_(0.5)NbO_4微波介质陶瓷的研究 |
| 4.6.1 Wolframite结构A_(0.5)Zr_(0.5)NbO_4陶瓷的制备及测试 |
| 4.6.2 Wolframite结构A_(0.5)Zr_(0.5)NbO_4陶瓷的晶体结构与微观结构分析 |
| 4.6.3 Wolframite结构A_(0.5)Zr_(0.5)NbO_4陶瓷的微波介电性能分析 |
| 4.6.4 Wolframite结构A_(0.5)Zr_(0.5)NbO_4陶瓷的远红外反射光谱分析 |
| 4.6.5 P-V-L化学键理论指导A_(0.5)Zr_(0.5)NbO_4陶瓷的改性研究分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 基于ZnO-TiO_2-Nb_2O_5体系LTCC微波介质陶瓷的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 基于Co/Ta复合离子共掺杂Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4陶瓷的低温烧结研究 |
| 5.2.1 添加Li_2O–B_2O_3–SiO_2玻璃的复合陶瓷材料的制备及测试 |
| 5.2.2 添加Li_2O–B_2O_3–SiO_2玻璃复合陶瓷的低温烧结动力学分析 |
| 5.2.3 添加Li_2O–B_2O_3–SiO_2玻璃复合陶瓷的物相与微观结构分析 |
| 5.2.4 添加Li_2O–B_2O_3–SiO_2玻璃复合陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.3 基于Zn_(0.5)Ti_(0.5)NbO_4–Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_2复合陶瓷的低温烧结研究 |
| 5.3.1 添加Li_2O(ZnO)–B_2O_3–SiO_2玻璃复合陶瓷的制备及测试 |
| 5.3.2 添加Li_2O(ZnO)–B_2O_3–SiO_2玻璃复合陶瓷的低温烧结机理分析 |
| 5.3.3 添加Li_2O(ZnO)–B_2O_3–SiO_2玻璃复合陶瓷的物相与微观结构分析 |
| 5.3.4 添加Li_2O(ZnO)–B_2O_3–SiO_2玻璃复合陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 论文总结和展望 |
| 6.1 论文主要结论 |
| 6.2 论文创新点 |
| 6.3 后续研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
（3）Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的研究历史与应用前景 |
| 1.2.1 研究历史 |
| 1.2.2 应用前景 |
| 1.3 微波介电性能参数 |
| 1.3.1 相对介电常数 |
| 1.3.2 品质因数 |
| 1.3.3 谐振频率温度系数 |
| 1.4 微波介质陶瓷主要体系 |
| 1.4.1 低介微波介质陶瓷 |
| 1.4.2 中高介微波介质陶瓷 |
| 1.4.3 高介微波介质陶瓷 |
| 1.5 低温和超低温共烧陶瓷 |
| 1.6 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 陶瓷样品的制备和分析测试方法 |
| 2.1 陶瓷样品的制备 |
| 2.2 陶瓷样品的性能测试 |
| 2.3 陶瓷样品的宏观与微观特性表征 |
| 第三章 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)高介微波陶瓷的改性机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微量离子取代对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的微波介电性能影响 |
| 3.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷设计与样品制备 |
| 3.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微结构与微观形貌 |
| 3.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 3.3 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的B位取代机制研究 |
| 3.3.1 Ba3_(.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷样品的制备 |
| 3.3.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的结构与微观形貌分析 |
| 3.3.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的微波介电性能 |
| 3.4 Sm~(3+)对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷的A位取代机制研究 |
| 3.4.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的制备 |
| 3.4.2 Ba_(3.75)Nd_(9.s-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的结构和微观形貌 |
| 3.4.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微波介电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3高介微波陶瓷的改性机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振动光谱分析及其P-V-L理论 |
| 4.2.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振动光谱分析 |
| 4.2.2 基于Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的复杂化学键理论 |
| 4.3 微量添加剂对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的微波介电性能影响 |
| 4.3.1 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的制备 |
| 4.3.2 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的相成分与微观形貌分析 |
| 4.3.3 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的致密度与微波介电性能分析 |
| 4.4 Cr~(3+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.4.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.4.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.5 (Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))~(4+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.5.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.5.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3陶瓷样品结构和微波介电性能分析 |
| 4.5.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品结构和微波介电性能分析 |
| 4.6 Al~(3+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.6.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO3陶瓷样品的制备 |
| 4.6.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.6.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.7 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.7.1 Ca_(0.6)1Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al0.5Nb0.5)_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.7.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.7.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.8 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的A、B位离子协同取代机制研究 |
| 4.8.1 CLNTAN陶瓷样品的制备 |
| 4.8.2 CLNTAN陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.8.3 CLNTAN陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.9 本章小结 |
| 第五章 高介LTCC陶瓷材料的制备和低温烧结及介电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基LTCC材料的研究与制备 |
| 5.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷的制备 |
| 5.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基陶瓷的低温烧结特性研究 |
| 5.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷的微结构分析 |
| 5.2.4 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷介电性能 |
| 5.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基LTCC材料的研究和制备 |
| 5.3.1 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷的制备 |
| 5.3.2 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基陶瓷的低温烧结特性研究 |
| 5.3.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷的微结构 |
| 5.3.4 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷介电性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 论文总结和展望 |
| 6.1 论文主要结论 |
| 6.2 论文创新点 |
| 6.3 后续研究工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（4）高介电常数NPO电容器介质材料的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电介质材料的介电性能 |
| 1.2.1 介电常数 |
| 1.2.2 介电损耗 |
| 1.2.3 介电常数温度系数 |
| 1.2.4 介电混合法则 |
| 1.3 NPO陶瓷电容器及NPO陶瓷介质材料 |
| 1.3.1 陶瓷电容器 |
| 1.3.2 MLCC陶瓷电容器 |
| 1.3.3 NPO陶瓷电容器 |
| 1.3.4 高介电常数NPO陶瓷制备方法 |
| 1.3.5 高介电常数NPO陶瓷的研究现状 |
| 1.4 选题依据与研究内容 |
| 2 材料制备及分析测试方法 |
| 2.1 材料制备 |
| 2.1.1 实验原料与设备 |
| 2.1.2 材料制备工艺流程 |
| 2.2 性能表征 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) |
| 2.2.2 扫描电镜分析(SEM) |
| 2.2.3 介电性能测试 |
| 3 Li_(0.5)Ln_(0.5)TiO_3基陶瓷的结构及介电性能 |
| 3.1 样品的制备 |
| 3.2 实验结果与讨论 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)(Ca_(0.8)Sr_(0.2))TiO_3陶瓷的结构及介电性能 |
| 4.1 样品的制备 |
| 4.2 实验结果与讨论 |
| 4.2.1 物相分析 |
| 4.2.2 介电性能分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)(Na_(0.5)La_(0.5))TiO_3陶瓷的结构及介电性能 |
| 5.1 样品的制备 |
| 5.2 实验结果与讨论 |
| 5.2.1 物相分析 |
| 5.2.2 微观形貌分析 |
| 5.2.3 介电性能分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)Ca_(0.6)La_(0.8/3)TiO_3陶瓷的结构及介电性能 |
| 6.1 样品的制备 |
| 6.2 实验结果与讨论 |
| 6.2.1 物相分析 |
| 6.2.2 微观形貌分析 |
| 6.2.3 介电性能分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（5）掺杂剂对LiTaO3基陶瓷介电性能的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功能陶瓷 |
| 1.2 LiTaO_3及LiTaO_3基陶瓷的研究概况 |
| 1.2.1 LiTaO_3的晶体结构 |
| 1.2.2 LiTaO_3基陶瓷材料及其研究现状 |
| 1.3 LiTaO_3基陶瓷掺杂剂 |
| 1.3.1 Bi_2O_3 |
| 1.3.2 CoO |
| 1.3.3 MnO_2 |
| 1.4 陶瓷的介电性能及影响因素 |
| 1.4.1 陶瓷的介电性能 |
| 1.4.2 介电性能影响因素 |
| 1.5 .本文研究目的、意义及研究主要内容 |
| 1.5.1 研究目的和意义 |
| 1.5.2 研究主要内容 |
| 第二章 实验材料与研究方法 |
| 2.1 实验材料与设备 |
| 2.1.1 主要原料 |
| 2.1.2 主要实验仪器设备 |
| 2.2 实验工艺流程 |
| 2.3 基本性能测试 |
| 2.3.1 相对密度的测量 |
| 2.3.2 物相分析 |
| 2.3.3 显微形貌观察 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱分析 |
| 2.3.5 介电性能的表征 |
| 2.3.6 交流阻抗性能测定 |
| 第三章 Bi_2O_3 掺杂对LiTaO_3 基陶瓷结构、性能的影响 |
| 3.1 Bi_2O_3 掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的结构及性能的影响 |
| 3.1.1 Bi_2O_3 掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的相对密度的影响 |
| 3.1.2 Bi_2O_3 掺杂量对LiTaO_3基陶瓷相组成的影响 |
| 3.1.3 Bi_2O_3 掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的组织的显微结构的影响 |
| 3.1.4 Bi_2O_3 掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的元素定性的影响 |
| 3.1.5 Bi_2O_3 掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的介电性能的影响 |
| 3.1.6 Bi_2O_3 掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的驰豫性的影响 |
| 3.2 烧结温度对2.5BLT陶瓷的结构、及性能的影响 |
| 3.2.1 烧结温度对2.5BLT陶瓷的相对密度的影响 |
| 3.2.2 烧结温度对2.5BLT陶瓷的相组成的影响 |
| 3.2.3 烧结温度对2.5BLT陶瓷的组织的显微结构的影响 |
| 3.2.4 烧结温度对2.5BLT陶瓷的元素定性的影响 |
| 3.2.5 烧结温度对2.5BLT陶瓷的介电性能的影响 |
| 3.2.6 烧结温度对2.5BLT陶瓷驰豫特性的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 CoO掺杂对LiTaO_3 基陶瓷结构、性能的影响 |
| 4.1 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的结构及性能的影响 |
| 4.1.1 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的相对密度的影响 |
| 4.1.2 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的相组成的影响 |
| 4.1.3 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的显微组织的影响 |
| 4.1.4 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的元素定性的影响 |
| 4.1.5 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的介电性能的影响 |
| 4.1.6 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷驰豫特性的影响 |
| 4.1.7 CoO掺杂量对LiTaO_3基陶瓷的阻抗特性的影响 |
| 4.2 烧结温度对5CLT陶瓷的结构、及性能的影响 |
| 4.2.1 烧结温度对5CLT陶瓷的相对密度的影响 |
| 4.2.2 烧结温度对5CLT陶瓷的相组成的影响 |
| 4.2.3 烧结温度对5CLT陶瓷的显微组织的影响 |
| 4.2.4 烧结温度对5CLT陶瓷的介电性能的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 MnO_2 掺杂对LiTaO_3 基陶瓷结构、性能的影响 |
| 5.1 MnO_2 掺杂量对MLT陶瓷的结构及性能的影响 |
| 5.1.1 MnO_2 掺杂量对MLT陶瓷的相对密度的影响 |
| 5.1.2 MnO_2 掺杂量对MLT陶瓷的相组成的影响 |
| 5.1.3 MnO_2 掺杂量对MLT陶瓷的元素定性的影响 |
| 5.1.4 MnO_2 掺杂量对MLT陶瓷的显微组织的影响 |
| 5.1.5 MnO_2 掺杂量对MLT陶瓷的介电性能的影响 |
| 5.2 烧结温度对5MLT陶瓷的结构及性能的影响 |
| 5.2.1 烧结温度对5MLT陶瓷的相对密度的影响 |
| 5.2.2 烧结温度对5MLT陶瓷的相结构的影响 |
| 5.2.3 烧结温度对5MLT陶瓷的微观组织的影响 |
| 5.2.4 烧结温度对5MLT陶瓷的介电性能的影响 |
| 5.2.5 烧结温度对5MLT陶瓷的阻抗特性的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果 |
| 致谢 |
（6）BaO-ZnO-SiO2系陶瓷的制备、改性及微波介电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的介电基础理论 |
| 1.2.1 介电常数 |
| 1.2.2 品质因数 |
| 1.2.3 谐振频率温度系数 |
| 1.2.4 复杂晶体化学键的介电理论 |
| 1.3 低介电常数微波介质陶瓷的研究现状 |
| 1.4 BaO-ZnO-SiO_2系陶瓷材料的研究进展 |
| 1.5 本文的研究意义与研究内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 试验材料的制备及分析测试方法 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验测试设备 |
| 2.2 材料制备工艺过程 |
| 2.3 测试与分析 |
| 2.3.1 密度测试 |
| 2.3.2 物相鉴定分析 |
| 2.3.3 显微组织分析(SEM) |
| 2.3.4 Raman光谱 |
| 2.3.5 微波介电性能测试 |
| 第三章 BaO-ZnO-SiO_2系陶瓷的制备和微波介电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 试样制备 |
| 3.2.2 测试与分析 |
| 3.3 Ba_2ZnSi_2O_7陶瓷的制备和微波介电性能研究 |
| 3.3.1 物相分析 |
| 3.3.2 显微组织 |
| 3.3.3 拉曼光谱分析 |
| 3.3.4 相对密度和微波介电性能 |
| 3.4 BaZn_2Si_2O_7陶瓷的制备及微波介电性能的研究 |
| 3.4.1 物相分析和晶体结构精修 |
| 3.4.2 显微组织 |
| 3.4.3 拉曼光谱分析 |
| 3.4.4 相对密度和微波介电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 BaZn_2Si_2O_7基陶瓷的离子取代改性和介电性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 试样制备 |
| 4.2.2 测试与分析 |
| 4.3 Ba_(1-x)Sr_xZn_2Si_2O_7陶瓷的结构和微波介电性能 |
| 4.3.1 烧结特性 |
| 4.3.2 物相分析 |
| 4.3.3 显微组织 |
| 4.3.4 拉曼光谱分析 |
| 4.3.5 微波介电性能 |
| 4.4 Ba_(1-x)Ca_xZn_2Si_2O_7陶瓷的结构和微波介电性能 |
| 4.4.1 烧结特性 |
| 4.4.2 物相分析 |
| 4.4.3 显微组织 |
| 4.4.4 微波介电性能 |
| 4.5 Ba_(0.8)Sr_(0.2)Zn_(2-x)Co_xSi_2O_7陶瓷的结构和微波介电性能 |
| 4.5.1 烧结特性 |
| 4.5.2 物相分析 |
| 4.5.3 显微组织 |
| 4.5.4 拉曼光谱分析 |
| 4.5.5 微波介电性能 |
| 4.6 Ba_(0.8)Sr_(0.2)Zn_(2-x)Ni_xSi_2O_7陶瓷的结构和微波介电性能 |
| 4.6.1 烧结特性 |
| 4.6.2 物相分析 |
| 4.6.3 显微组织 |
| 4.6.4 微波介电性能 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 温度稳定型Ba_(0.8)Sr_(0.2)Zn_(1.5)Co_(0.5)Si_2O_7基LTCC陶瓷的制备研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.2.1 试样制备 |
| 5.2.2 测试与分析 |
| 5.3 (1-x)Ba_(0.8)Sr_(0.2)Zn_(1.5)Co_(0.5)Si_2O_7-xBa_5Si_8O_(21)复相陶瓷的显微组织和介电性能研究 |
| 5.3.1 烧结特性 |
| 5.3.2 物相分析 |
| 5.3.3 显微组织 |
| 5.3.4 微波介电性能 |
| 5.4 (1-x)Ba_(0.8)Sr_(0.2)Zn_(1.5)Co_(0.5)Si_2O_7-xSrTi O_3复相陶瓷的显微组织和介电性能 |
| 5.4.1 烧结特性 |
| 5.4.2 物相分析 |
| 5.4.3 显微组织 |
| 5.4.4 微波介电性能 |
| 5.5 LMS烧结助剂对0.45Ba_(0.8)Sr_(0.2)Zn_(1.5)Co_(0.5)Si_2O_7-0.55Ba_5Si_8O_(21)陶瓷组织和性能的影响 |
| 5.5.1 烧结特性 |
| 5.5.2 显微组织 |
| 5.5.3 微波介电性能 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 全文总结 |
| 6.1 本文主要结论 |
| 6.2 全文主要创新点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间发表的学术论文及取得研究成果 |
（7）钛酸铋钠基钙钛矿型无铅压电陶瓷性能与机理研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 压电效应 |
| 2.2 铁电体 |
| 2.3 弛豫铁电体 |
| 2.3.1 弥散相变 |
| 2.3.2 频率色散 |
| 2.3.3 特殊的电滞回线和应变曲线 |
| 2.4 压电陶瓷 |
| 2.4.1 压电陶瓷概述 |
| 2.4.2 无铅压电陶瓷 |
| 2.5 BNT基无铅压电陶瓷 |
| 2.5.1 较高的场致应变 |
| 2.5.2 复杂的相变 |
| 2.5.3 退极化温度 |
| 2.5.4 BNT体系薄膜的研究 |
| 2.5.5 BNT基无铅压电陶瓷优异的大功率特性 |
| 2.6 本课题的研究内容和意义 |
| 3 缺陷调控提高0.94(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3-0.06BaTiO_3陶瓷的退极化温度 |
| 3.1 实验方法 |
| 3.2 实验结果与分析 |
| 3.2.1 表面形貌和畴结构分析 |
| 3.2.2 变温介电常数和损耗分析 |
| 3.2.3 变温铁电性分析 |
| 3.2.4 变温场致应变分析 |
| 3.2.5 退火工艺对陶瓷退极化温度的影响 |
| 3.2.6 制备工艺对陶瓷相结构的影响 |
| 3.2.7 陶瓷中氧空位缺陷分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 氧缺陷策略同时提高BNT-BKT无铅压电陶瓷的压电常数和退极化温度 |
| 4.1 实验方法 |
| 4.2 实验结果与分析 |
| 4.2.1 氧缺陷组分BaInO_(2.5)含量对陶瓷表面形貌的影响 |
| 4.2.2 氧缺陷组分BaInO_(2.5)含量对陶瓷相结构的影响 |
| 4.2.3 氧缺陷组分BaInO_(2.5)含量对陶瓷铁电性能的影响 |
| 4.2.4 氧缺陷组分BaInO_(2.5)含量对陶瓷退极化温度和压电性能影响 |
| 4.2.5 氧缺陷体系BNT-BKT-xBaIn基本电学参数 |
| 4.2.6 代表性组分阻抗性质研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 组分调控提高0.82(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3-(0.1 8-x)BaTiO_3-x(Bi_(0.5)Na_(0.5))(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3 体系的场致应变 |
| 5.1 实验方法 |
| 5.2 实验结果和分析 |
| 5.2.1 (Bi_(0.5)Na_(0.5))(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3含量对陶瓷密度和相结构的影响 |
| 5.2.2 (Bi_(0.5)Na_(0.5))(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3含量对陶瓷表面形貌的影响 |
| 5.2.3 (Bi_(0.5)Na_(0.5))(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3含量对陶瓷电滞回线的影响 |
| 5.2.4 (Bi_(0.5)Na_(0.5))(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3含量对陶瓷场致应变的影响 |
| 5.2.5 (Bi_(0.5)Na_(o.5))(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3含量对陶瓷压电和介电性能的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 晶粒尺寸效应和缺陷策略提高BNT基无铅压电陶瓷的温度稳定性和机械品质因数 |
| 6.1 实验方法 |
| 6.2 实验结果和分析 |
| 6.2.1 陶瓷的相结构分析 |
| 6.2.2 陶瓷的微观形貌分析 |
| 6.2.3 陶瓷的铁电性分析 |
| 6.2.4 陶瓷的场致应变分析 |
| 6.2.5 陶瓷的大功率性能分析 |
| 6.2.6 陶瓷的温度稳定性分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 7 结论 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（8）Mg2Al4Si5O18系微波介质陶瓷材料制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的研究历程及应用 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的研究历程 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的应用 |
| 1.3 微波介质陶瓷材料的体系 |
| 1.4 微波介质陶瓷的机理 |
| 1.5 微波介质的介电特性 |
| 1.5.1 介电常数 |
| 1.5.2 品质因数 |
| 1.5.3 频率温度系数 |
| 1.6 Mg_2Al_4Si_5O_(18)系微波介质陶瓷 |
| 1.7 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 实验过程与性能表征 |
| 2.1 实验思路 |
| 2.2 实验样品的制备 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 工艺流程 |
| 2.3 微波介电测试 |
| 2.3.1 介电性能测试设备 |
| 2.3.2 介电性能测试原理 |
| 2.4 物理性能测试和微观结构表征测试 |
| 2.4.1 密度 |
| 2.4.2 XRD |
| 2.4.3 SEM和EDS |
| 第三章 非化学计量比制备Mg_2Al_4Si_5O_(18)微波介质陶瓷研究 |
| 3.1 实验 |
| 3.2 Mg_((2+2x))Al_4Si_5O_(18) (x=0.00-0.10)微波介质陶瓷的结构与性能 |
| 3.2.1 Mg_((2+2x))Al_4Si_5O_(18) (x=0.00-0.10)微波介质陶瓷的结构 |
| 3.2.2 Mg_((2+2x))Al_4Si_5O_(18) (x=0.00-0.10)陶瓷的介电性能 |
| 3.3 总结 |
| 第四章 复合及离子取代对Mg_2Al_4Si_5O_(18)陶瓷性能影响的研究 |
| 4.1 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)微波介质陶瓷性能的研究 |
| 4.1.1 实验过程 |
| 4.1.2 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)陶瓷的结构与性能 |
| 4.1.2.1 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)陶瓷的结构 |
| 4.1.2.2 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)陶瓷介电性能 |
| 4.1.3 结论 |
| 4.2 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS (R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷微波介电性能的研究 |
| 4.2.1 实验过程 |
| 4.2.2 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS (R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷的结构与性能 |
| 4.2.2.1 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS(R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷的结构 |
| 4.2.2.2 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS (R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷介电性能 |
| 4.2.3 结论 |
| 4.3 (1-x wt.%)MAS+x wt.%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷微波介电性能的研究 |
| 4.3.1 实验过程 |
| 4.3.2 (1-x wt.%)MAS+x wt%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷的结构与性能 |
| 4.3.2.1 (1-x wt.%)MAS+x wt.%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷的结构 |
| 4.3.2.2 (1-x wt.%)MAS+x wt.%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷性能 |
| 4.3.3 结论 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 |
（9）B2O3-P2O5-SiO2基微波介质陶瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的发展及应用 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的发展 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的应用 |
| 1.3 微波介质陶瓷性能参数及影响因素 |
| 1.3.1 介电常数ε_r |
| 1.3.2 品质因数(Q) |
| 1.3.3 谐振频率温度系数(τ_f) |
| 1.4 微波介质陶瓷材料体系 |
| 1.4.1 高介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.4.2 中介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.4.3 低介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.4.4 低温烧结LTCC微波介质陶瓷 |
| 1.5 B_2O_3-P_2O_5-SiO_2微波介质陶瓷 |
| 1.5.1 低温烧结低介电微波介质陶瓷的发展趋势 |
| 1.5.2 B_2O_3-P_2O_5-SiO_2微波介质陶瓷研究现状 |
| 1.6 课题研究内容与目的 |
| 第二章 B_2O_3-P_2O_5-SiO_2基微波介质陶瓷的制备与表征 |
| 2.1 实验原料及实验设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 实验样品制备工艺 |
| 2.2.1 硅藻土提纯工艺 |
| 2.2.2 固相烧结工艺 |
| 2.3 测试与分析 |
| 2.3.1 密度测试 |
| 2.3.2 陶瓷烧结特性测试(DIL) |
| 2.3.3 同步(综合)热分析(DCS-TG) |
| 2.3.4 物相分析(XRD) |
| 2.3.5 显微组织分析(SEM) |
| 2.3.6 微波介电性能测试 |
| 第三章 BPS微波介质陶瓷的制备及微波介电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 烧结过程对H_3BO_3-NH_4H_2PO_4显微组织及气孔率的影响 |
| 3.2.1 样品的配方设计和制备方法 |
| 3.2.2 温度和保温时间对坯体化学反应过程及宏观形貌的影响 |
| 3.2.3 预烧温度和升温速率对坯体体积密度和气孔率的影响 |
| 3.2.4 预烧温度对坯体物相组成和显微形貌的影响 |
| 3.3 多孔低介BPS微波介质陶瓷的制备及介电性能 |
| 3.3.1 硅藻土提纯工艺研究 |
| 3.3.2 多孔BPS微波介质陶瓷的制备 |
| 3.3.3 多孔BPS微波介质陶瓷的物相组成及显微形貌 |
| 3.3.4 多孔BPS微波介质陶瓷的介电性能 |
| 3.4 低损耗BPS微波介质陶瓷的制备与介电性能 |
| 3.4.1 原料的选择与处理 |
| 3.4.2 低损耗BPS陶瓷的制备 |
| 3.4.3 低损耗BPS微波介质陶瓷的物相组成及显微形貌 |
| 3.4.4 低损耗BPS微波介质陶瓷的介电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 低温助烧剂添加对BPS陶瓷结构和微波介电性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 低温助烧剂的选择 |
| 4.2.1 玻璃低温烧结助剂的制备方法 |
| 4.2.2 烧结助剂性能研究 |
| 4.3 ZBS玻璃烧结助剂对BPS陶瓷的低温烧结研究 |
| 4.3.1 样品的配方设计和制备方法 |
| 4.3.2 ZBS玻璃助烧BPS陶瓷的烧结性能 |
| 4.3.3 ZBS玻璃助烧BPS陶瓷的显微形貌 |
| 4.3.4 ZBS玻璃助烧BPS陶瓷的微波介电性能 |
| 4.4 LMZBS玻璃烧结助剂对BPS陶瓷的低温烧结研究 |
| 4.4.1 样品的配方设计和制备方法 |
| 4.4.2 LMZBS玻璃助烧BPS陶瓷的烧结性能 |
| 4.4.3 LMZBS玻璃助烧BPS陶瓷的物相组成与显微组织 |
| 4.4.4 LMZBS玻璃助烧BPS陶瓷的微波介电性能 |
| 4.5 LMZBS玻璃助烧剂对BPS陶瓷与Ag共烧性研究 |
| 4.5.1 样品配方设计与制备方法 |
| 4.5.2 共烧性研究 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 BPS微波介质陶瓷谐振频率温度系数(τ_f)的调整 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 CaTiO_3掺杂调整BPS陶瓷的谐振频率温度系数 |
| 5.2.1 CaTiO_3的合成与制备 |
| 5.2.2 样品配方设计与制备方法 |
| 5.2.3 CaTiO_3对陶瓷体积密度的影响 |
| 5.2.4 物相组成与显微组织 |
| 5.2.5 微波介电性能 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 本文主要结论 |
| 6.2 本文主要创新点 |
| 6.3 课题展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
（10）BNT-BT基反铁电储能陶瓷的设计、制备及电学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 本文的主要创新之处 |
| 主要物理量名称及符号表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题研究目的及意义 |
| 1.2 铁电陶瓷和反铁电陶瓷 |
| 1.2.1 铁电及反铁电陶瓷的特点 |
| 1.2.2 反铁电陶瓷的储能原理 |
| 1.3 反铁电陶瓷研究现状及存在的问题 |
| 1.3.1 铅基反铁电陶瓷现状 |
| 1.3.2 无铅反铁电陶瓷研究现状 |
| 1.3.3 存在的问题 |
| 1.4 本文的研究思路和目的 |
| 1.4.1 研究思路 |
| 1.4.2 研究目的 |
| 2 研究内容与实验方法 |
| 2.1 研究内容与技术路线 |
| 2.1.1 研究内容 |
| 2.1.2 技术路线 |
| 2.2 试样制备 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 成分设计 |
| 2.2.3 工艺流程与参数 |
| 2.3 显微表征 |
| 2.3.1 相结构分析 |
| 2.3.2 显微组织分析 |
| 2.3.3 热重分析 |
| 2.3.4 线性收缩率 |
| 2.3.5 密度测试 |
| 2.4 性能测试 |
| 2.4.1 介电性能测试 |
| 2.4.2 压电性能测试 |
| 2.4.3 铁电性能测试 |
| 3 A位元素掺杂的BNT-BT基陶瓷材料的制备及性能研究 |
| 3.1 制备工艺的研究 |
| 3.1.1 球磨时间 |
| 3.1.2 成型压力 |
| 3.1.3 煅烧温度 |
| 3.1.4 烧结温度 |
| 3.2 La元素掺杂对相结构及微观形貌的影响 |
| 3.2.1 相结构 |
| 3.2.2 微观形貌 |
| 3.3 La元素掺杂对电学性能的影响 |
| 3.3.1 介电性能 |
| 3.3.2 储能性能 |
| 3.4 小结 |
| 4 B位元素掺杂的BNT-BT基陶瓷的制备及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 B位掺杂Zr元素对BNT-BT基陶瓷结构与电学性能的影响 |
| 4.2.1 相结构 |
| 4.2.2 微观形貌 |
| 4.2.3 介电性能 |
| 4.2.4 储能性能 |
| 4.3 B位掺杂Sn元素对BNT-BT基陶瓷结构与电性能的影响 |
| 4.3.1 微观形貌与相结构 |
| 4.3.2 介电性能 |
| 4.3.3 储能性能 |
| 4.4 小结 |
| 5 化合物掺杂BNT-BT基陶瓷的结构、介电与储能性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Sr元素和KNN化合物共掺杂对BNT-BT基陶瓷电学性能的影响 |
| 5.2.1 微观形貌 |
| 5.2.2 相结构 |
| 5.2.3 介电性能 |
| 5.2.4 Sr元素含量与储能性能之间的关系 |
| 5.2.5 温度对储能性能的影响 |
| 5.2.6 相变分析 |
| 5.3 B位掺杂(Mg4Nb2O9)化合物对BNT-BLT基陶瓷电学性能的影响 |
| 5.3.1 相结构 |
| 5.3.2 微观形貌 |
| 5.3.3 压电性能 |
| 5.3.4 储能性能 |
| 5.4 小结 |
| 6 掺杂方式与相结构和电学性能的相关性 |
| 6.1 掺杂方式对晶体结构与电学性能的影响 |
| 6.2 容忍因子与晶体结构和MPB区域 |
| 6.3 MPB区域与电学性能之间的关系 |
| 6.4 小结 |
| 7 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
四、Preparation of BLT Ternary Microwave Dielectric Ceramic Materials and Dielectric Performances（论文参考文献）
- [1]Ln（La和Sm）-Al共掺SrTiO3基高介电常数微波介质陶瓷结构与性能的研究[D]. 杨启航. 西南科技大学, 2021(08)
- [2]复杂化学键理论在A0.5B0.5CO4体系微波特性调控中的应用研究[D]. 杨鸿宇. 电子科技大学, 2021(01)
- [3]Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究[D]. 熊喆. 电子科技大学, 2020(03)
- [4]高介电常数NPO电容器介质材料的制备及性能研究[D]. 孙竹叶. 北京有色金属研究总院, 2020(08)
- [5]掺杂剂对LiTaO3基陶瓷介电性能的影响[D]. 姚亚丽. 上海工程技术大学, 2020(04)
- [6]BaO-ZnO-SiO2系陶瓷的制备、改性及微波介电性能研究[D]. 王丽珠. 南京航空航天大学, 2020(07)
- [7]钛酸铋钠基钙钛矿型无铅压电陶瓷性能与机理研究[D]. 李志涛. 北京科技大学, 2020(06)
- [8]Mg2Al4Si5O18系微波介质陶瓷材料制备及性能研究[D]. 董雪. 电子科技大学, 2019(01)
- [9]B2O3-P2O5-SiO2基微波介质陶瓷的制备与性能研究[D]. 刘贺. 南京航空航天大学, 2019(02)
- [10]BNT-BT基反铁电储能陶瓷的设计、制备及电学性能研究[D]. 王永锋. 西安理工大学, 2018(08)