一、GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究（论文文献综述）
樊磊磊[1]（2019）在《外场条件下InAs/GaAs量子点的荧光光谱研究》文中研究表明1833年英国科学家法拉第发现了硫化银的半导体性质-其电阻随着温度的上升而降低,从此揭开了人们对半导体材料的研究。半导体技术的研究与发展对人类社会产生了深远影响,而具有高稳定性、高可靠性的单光子源对量子通讯技术的发展至关重要。基于分立半导体自组织量子点的单光子源是很好的选择,它具有高亮度、窄线宽、短寿命、易于集成等一系列优点,因此具有重要的科研价值和广泛的应用前景。随着生长工艺的不断发展,以砷化铟/砷化镓（InAs/GaAs）为代表的第二代半导体自组织量子点单光子源的制备已趋于成熟。它属于直接带隙半导体材料,具有较高的发光效率和电子迁移率,可以用来制作高性能的微波、毫米波器件,在卫星通讯、光通讯等领域具有广泛的应用。目前制备InAs/GaAs自组织量子点的方法主要是分子束外延（MBE）,通过精确控制生长工艺与生长参数来制备高质量的样品。另一方面在量子点器件的使用过程中,不可避免的会遇到各种环境要求,如高温焊接,位置固定,集成组装等,这将对量子点的性能产生一定的影响,学者对该问题保持着持续的关注和研究。但对样品发生形变后光学性质的研究少之又少,而在量子点器件的加工过程中样品形变是难以避免的,因此研究量子点样品在发生形变后的光学性质具有重要的科研价值。本实验使用的样品是在GaAs衬底上采用MBE生长工艺制备的InAs/GaAs量子点样品。首先,使用原子力显微镜（AFM）对所有的样品进行表面形貌测试,得到样品表面量子点的尺寸与密度分布。接着使用共聚焦拉曼光谱仪测量所有样品室温下的拉曼光谱（Raman谱）和不同温度下（90k-300k）的光致发光光谱（PL谱）,发现随着测试温度的升高,样品对应的谱线发生红移且光谱强度降低。另外还研究了激发功率对样品荧光光谱的影响,发现随着激发功率的增加,样品的PL谱线位置发生了微弱的红移,谱线的强度明显增加。最后在测试温度与激发功率合适的情况下,选择光谱信号较好的样品,测量对样品施加微小应变后（0.5%）的荧光光谱图像,并与无应变下样品的光谱进行对比,发现衬底对应的PL谱线峰位发生微弱的蓝移,而浸润层对应的谱线峰位没有变化,但是它们对应的谱线强度增强,量子点对应的谱线发生微弱的蓝移,其发光强度降低。
董海亮[2]（2016）在《InGaAs/GaAsP量子阱界面结构及其激光器件性能研究》文中研究表明半导体激光器具有体积小、重量轻、功率大、光电转换效率高、寿命长等优点,成为光电子材料与器件领域研究的热点。GaAs基激光器在光电特性及应用领域的研究已经取得了很大进展,但在光电性能方面仍面临一些急需解决的问题,比如高注入电流密度下功率效率衰减、内损耗较高、阈值电流高、电光转化效率低、载流子的热逃逸、斜率效率低等。研究表明,激光器外延结构中各功能层间的界面,尤其是激光器有源区的界面结构,不仅能够传递能量,而且对提升激光器件的光电性能起着至关重要的作用。本论文研究GaAs基激光器中有源区界面结构与其光电性能的关系,通过设计和调控有源区界面结构来提升激光器件的光电性能。在介绍GaAs基激光器发光机制的基础上,对量子阱中的阱/垒界面结构展开了研究,包括生长温度对InGaAs/GaAsP量子阱中阱/垒界面的铟（In）原子扩散的影响,势垒中磷（P）组分对量子阱中界面结构质量及载流子分布的影响,不同偏角GaAs衬底对量子阱界面结构及生长动力学过程的影响等。本文的具体研究内容和成果主要包括以下几方面:1.为了更好的调控InGaAs/GaAsP多量子阱界面的生长工艺,系统研究了量子阱生长温度对阱垒生长过程中高温环境导致In原子界面扩散的问题。温度越高,In原子扩散长度越长,阱垒界面层的合金无序性增加,合金散射增大,降低了电子的迁移率。因此,为了获得理想的量子阱界面结构,设计的生长温度分别为620℃、650℃和680℃。结果表明:在生长温度为650℃时,在InGaAs/GaAsP界面处能够得到最薄的In原子扩散界面层。同时,讨论并分析了In原子扩散层形成机制以及该层对多量子阱光电性质影响的机理。2.为了提高InGaAs/GaAsP多量子阱的内量子效率,解决在电激发作用下载流子从阱中越过势垒导致载流子泄露的问题。采用k·p方法从能带理论上系统研究了势垒中P组分对载流子的分布、束缚能力以及光电性质的影响。在理论设计的基础上,分别生长了不同P组分势垒的多量子阱结构,并对其界面结构性质以及光学性质进行了研究,分析了不同P组分势垒的激光器件对光电性能的影响。结果表明:势垒中P组分为0.145时,得到了光电性能参数较好的激光器件,内量子效率可达98%,阈值电流约为0.3 A。3.为了分析0°,2°和15°不同偏角的GaAs衬底对激光器有源区的InGaAs/GaAsP多量子阱界面结构的影响。在相同工艺参数条件下,不同偏角的GaAs衬底上生长的多量子阱结构表面形貌分别为台阶流、台阶聚并和岛状。通过变温光致发光谱分析表明:在0°、2°和15°GaAs衬底上生长的多量子阱结构分别具有量子阱、量子线和量子点的光学特征。结合相关工艺参数,对不同偏角GaAs衬底上的量子阱、量子线和量子点的生长机理进行了分析,并解释了不同偏角衬底的InGaAs/GaAsP多量子阱的光学性质与微观结构之间的关系,从而为制备不同形貌的自组装纳米结构器件提供新的工艺方法。
J.InfraredMillim.Waves第二十四卷年度索引（二五年）[3]（2005）在《红外与毫米波学报 第二十四卷年度索引(二○○五年)》文中进行了进一步梳理
郭子政[4]（2004）在《Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应》文中提出本文研究压力对Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中激子的影响。 为解释ZnSe／ZnCdSe量子阱的光致发光强度随静压快速衰减的实验现象，我们从理论上研究了Zn1-xCdxSe／ZnSe单量子阱中压力导致的应变调制效应。主要结果有三：一是计算得到ZnSe材料的Γ-X交叉压力Pc并发现它满足Ps＜Pm＜Pc（其中Ps为ZnSe的结构相变压力，Pm为半导体-金属相变压力）；二是证明这种量子阱的光致发光强度随静压快速衰减的实验现象不是应变转型（LH-HH交叉）造成的；三是说明这种应变转型可以在量子阱中实现（以前应变转型都是在单异质结中实现的），但前提是保持ZnSe／ZnCdSe的总层厚小于某个临界厚度并使镉浓度x＜0.17。我们还发现：镉浓度的微小改变会造成很大的调制压力的改变以及HH和LH能带的分裂。因此借助于增大x，有望观察到HH和LH激子PL峰的更明显分裂现象。 为讨论压力导致的激子和LO声子耦合增强从而影响激子稳定的可能性，我们用变分法计算了压力下Zn0.74Cd0.26Se QW中基态HH激子结合能并比较了在压力增加过程中HH激子结合能（Eb）与LO声子能量(（?）ωLO)之变化程度。在计算中计入了电子-声子互作用的影响。结果显示，对于中等阱宽的量子阱，激子结合能和LO声子能量确实可以发生交叉，即发生由Eb＞（?）ωLO到Eb＜（?）ωLO的变化，造成激子和LO声子耦合增强。我们还发现，在所有随压力变化的参数中晶格常数的影响是最重要的。有效质量和介电常数同时改变对激子结合能有明显效应，但它们各自独立的影响恰好相反。 考虑压力下势垒高度和激子结合能的改变等诸多因素对压力系数的影响，我们从理论上研究了ZnCdSe／ZnSe量子阱中重空穴激子基态的跃迁能量和压力系数。我们利用变分法计算了激子结合能并考虑了压力和电子-声子相互作用的影响。结果表明ZnCdSe／ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小，该结论与实验结果完全吻合。计算表明体弹性模量对压力系数影响很大，而采用SCI，A近似计算禁带宽度等三元混晶参数可使跃迁能量的计算值与实验值更加符合。还对GaAS/Ga.、Al，As和ZnCdse/Znse两类量子阱中压力系数随阱宽的不同变化规律以及本文计算压力系数方法的误差问题作了简单讨论。 计算表明Znse/ZnCdse量子阱结构中激子光跃迁能量随压力线性变化，而对于Znse/ZnCdse超晶格结构，激子光跃迁能量随压力非线性变化。上述两种结构中激子光跃迁的差异很可能是由于超晶格和量子阱的体弹性模量不同所致。为解释匕述两种结构中激子光跃迁的差异，我们用变分法并考虑晶格常数、介电常数、有效质量特别是体弹性模量等物理参量的压力效应后计算了Znse/ZnCdse量子阱中的激子结合能。在此基础上研究了静压下Znse/Z。Cdse量子阱中的激子跃迁。结果表明体弹性模量的压力变化率B夕对跃迁能量随压力的变化关系影响较大。根据计算结果，首次估算出ZnCdse/Znse量子阱中Zn曰ZCd曰;Se的体弹性模量之压力导数近似为1 .0。 我们用变分法计算了11类ZnTe/Cdse异质结中界面轻空穴激子结合能随压力的变化关系。引入三角势阱近似来同时描述电子和空穴能带弯曲，用ATM方法得到电子和空穴子带能量和波函数。在计算中计入了压力对有效质量和介电常数特别是带阶的影响。结果表明，压力使激子结合能明显增大，这种增大主要是压力对电子有效质量和介电常数的影响造成的。 我们还用变分法计算了n类Znse/ZnTe异质结中界面重空穴激子结合能随压力的变化。计算方法与上述计算ZnTe/Cdse异质结中界面轻空穴激子结合能的方法相同，但除了考虑电子和空穴能带弯曲之外，还计及了电子一声子相互作用对激子结合能的影响。结果表明，对于H类Znse/ZnTe异质结电子LO声子相互作用对激子结合能的贡献不可忽略。另外还发现，随着戊的变化，瓜(动（考虑电子一声子互作用后激子的结合能）和瓦（:。）（采用:。屏蔽库仑势的激子结合能）会出现有趣的交又现象。
李国华,方再利,丁琨,韩和相,曾美思,王建农,葛惟锟,潘钟,李联合,吴荣汉[5]（2002）在《GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究》文中进行了进一步梳理在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。
郭子政,梁希侠,班士良[6]（2002）在《Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数》文中研究指明考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ -Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数 ,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好 ,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。
李国华,韩和相,汪兆平,李伟,王占国[7]（1997）在《InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究》文中研究说明在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力行为与ＧａＡｓ基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构．得到平均厚度为１／３单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为２３和４２ｍｅＶ
刘振先,李国华,韩和相,汪兆平[8]（1994）在《InxGa1－xAs／AlyGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究》文中提出用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．
李国华,韩和相,汪兆平,李杰,何力,袁诗鑫[9]（1993）在《(CdTe)m（ZnTe）n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究》文中提出(CdTe)m（ZnTe）n-ZnTe多量子阱是由（CdTe）m（ZnTe）n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后（CdTe）m（ZnTe）n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与（CdTe）m（ZnTe）n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm-1。反映了在（CdTe）m（ZnTe）n超晶格中LO声子的局域效应。
李国华,韩和相,汪兆平,李杰,何力,袁诗鑫[10]（1993）在《CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究》文中指出在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的（CdTe）m/（ZnTe）n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显着变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。
二、GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究（论文提纲范文）
（1）外场条件下InAs/GaAs量子点的荧光光谱研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 GaAs、InAs材料的物理特性 |
| 1.2.1 GaAs材料的物理性质 |
| 1.2.2 InAs材料的物理性质 |
| 1.3 GaAs、InAs材料的能带结构 |
| 1.3.1 GaAs材料的能带结构 |
| 1.3.2 InAs材料的能带结构 |
| 1.4 半导体量子点 |
| 1.5 压电效应和压电光电子学 |
| 1.6 本论文的研究内容及创新性工作 |
| 第二章 外延生长理论和外延生长表征设备 |
| 2.1 外延生长理论 |
| 2.2 外延生长设备 |
| 2.2.1 分子束外延(MBE) |
| 2.2.2 金属有机气相外延(MOCVD) |
| 2.3 材料表征设备 |
| 2.3.1 原子力显微镜(AFM) |
| 2.3.2 拉曼(Raman)光谱仪 |
| 2.4 本实验样品的生长工艺 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 InAs量子点样品的表面形貌与光学性质 |
| 3.1 InAs量子点样品的AFM图像 |
| 3.2 InAs量子点样品的Raman图像 |
| 3.3 InAs量子点样品的PL谱 |
| 3.3.1 测量温度对InAs量子点PL谱的影响 |
| 3.3.2 激发功率对InAs量子点PL光谱的影响 |
| 3.3.3 应变对InAs量子点PL光谱的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 InAs/GaAs量子点和GaAs量子点样品的表面形貌和光学性质 |
| 4.1 InAs/GaAs量子点和GaAs量子点样品的AFM图像 |
| 4.2 InAs/GaAs量子点和GaAs量子点样品的Raman光谱 |
| 4.3 InAs/GaAs量子点和GaAs量子点样品的PL谱 |
| 4.4 分析总结 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果与参与科研的项目 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（2）InGaAs/GaAsP量子阱界面结构及其激光器件性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 应变、应变补偿量子阱及能带理论 |
| 1.3 半导体激光器的基本原理和理论参数 |
| 1.3.1 粒子数反转和光增益 |
| 1.3.2 阈值条件和增益分布 |
| 1.3.3 激光谐振腔 |
| 1.4 半导体激光器光电特性及主要参数 |
| 1.4.1 半导体激光器的量子效率 |
| 1.4.2 量子阱激光器的阈值电流密度，特征温度的分析 |
| 1.5 量子阱激光器In GaAs阱层/GaAsP垒层的界面结构 |
| 1.5.1 温度对生长In GaAs/GaAsP界面结构的影响 |
| 1.5.2 势垒高度对In GaAs/GaAsP界面结构及载流子输运的影响 |
| 1.5.3 不同偏角的GaAs衬底对InGaAs/Ga AsP界面结构的影响 |
| 1.6 选题意义和研究内容 |
| 1.6.1 选题意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 半导体材料的制备与表征 |
| 2.0 引言 |
| 2.1 外延材料的制备 |
| 2.2 半导体材料的表征手段 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射仪 |
| 2.2.2 半导体光致发光 |
| 2.2.3 原子力显微镜 |
| 2.2.4 拉曼光谱 |
| 2.2.5 其它表征手段 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 温度对应变补偿量子阱中阱/垒界面结构的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 In GaAs/GaAsP多量子阱的制备与表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 HRXRD与表面反射率分析 |
| 3.3.2 AFM表面形貌分析 |
| 3.3.3 SIMS界面分析 |
| 3.3.4 PL光谱分析 |
| 3.3.5 I–V曲线电学特性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 势垒高度对In GaAs/GaAsP多量子阱载流子的传输的影响及光电性质 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 量子阱材料的生长、器件制备与性能测试 |
| 4.2.1 量子阱材料的生长 |
| 4.2.2 器件制备 |
| 4.2.3 性能测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 HRXRD分析 |
| 4.3.2 表面反射率分析 |
| 4.3.3 AFM表面形貌分析 |
| 4.3.4 PL光谱分析 |
| 4.3.5 拉曼光谱分析 |
| 4.3.6 理论仿真分析 |
| 4.3.7 激光器件分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 衬底偏角对In GaAs/GaAsP多量子阱的光致发光以及结构性质的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 量子阱材料的制备与表征 |
| 5.2.1 量子阱材料的制备 |
| 5.2.2 性能测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 HRXRD与表面反射率分析 |
| 5.3.2 拉曼光谱分析 |
| 5.3.3 AFM表面形貌分析 |
| 5.3.4 变温PL光谱分析 |
| 5.4 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 博士学位论文独创性说明 |
| 攻读博士期间取得的科研成果 |
| 发表的论文 |
| 申请专利 |
| 致谢 |
（4）Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料的特点及研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第二章 物理参数的压力(应变)依赖关系 |
| 2.1 晶格常数和体积 |
| 2.2 带阶和禁带宽度 |
| 2.3 有效质量 |
| 2.4 介电常数 |
| 2.5 LO声子频率 |
| 第三章 ZnSe／ZnCdSe量子阱中应变的压力调制效应 |
| 3.1 直接禁带-间接禁带转变压力 |
| 3.2 重空穴-轻空穴能带交叉压力 |
| 3.3 小结 |
| 第四章 ZnCdSe／ZnSe量子阱中的激子及其压力效应 |
| 4.1 理论 |
| 4.2 压力导致的激子-LO声子耦合增强的可能性 |
| 4.3 重空穴激子的压力系数 |
| 4.4 体弹性模量对重空穴激子跃迁的影响 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 压力对第Ⅱ类异质结的界面激予的结合能的影响 |
| 5.1 理论 |
| 5.2 ZnTe／CdSe异质结 |
| 5.3 ZnSe／ZnTe异质结 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表论文目录 |
四、GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究（论文参考文献）
- [1]外场条件下InAs/GaAs量子点的荧光光谱研究[D]. 樊磊磊. 山西大学, 2019(01)
- [2]InGaAs/GaAsP量子阱界面结构及其激光器件性能研究[D]. 董海亮. 太原理工大学, 2016(08)
- [3]红外与毫米波学报 第二十四卷年度索引(二○○五年)[J]. J.InfraredMillim.Waves第二十四卷年度索引（二五年）. 红外与毫米波学报, 2005(06)
- [4]Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应[D]. 郭子政. 内蒙古大学, 2004(04)
- [5]GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究[J]. 李国华,方再利,丁琨,韩和相,曾美思,王建农,葛惟锟,潘钟,李联合,吴荣汉. 固体电子学研究与进展, 2002(04)
- [6]Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数[J]. 郭子政,梁希侠,班士良. 量子光学学报, 2002(03)
- [7]InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究[J]. 李国华,韩和相,汪兆平,李伟,王占国. 红外与毫米波学报, 1997(02)
- [8]InxGa1－xAs／AlyGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究[J]. 刘振先,李国华,韩和相,汪兆平. 红外与毫米波学报, 1994(01)
- [9](CdTe)m（ZnTe）n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究[J]. 李国华,韩和相,汪兆平,李杰,何力,袁诗鑫. 半导体学报, 1993(04)
- [10]CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究[J]. 李国华,韩和相,汪兆平,李杰,何力,袁诗鑫. 半导体学报, 1993(02)