一、测井用中子管寿命分析（论文文献综述）
刘佳溪[1]（2021）在《中子管靶膜材料和涂层材料对中子输出及溅射产额的影响》文中进行了进一步梳理中子管是加速器中子源的一种,中子管是把离子源、加速系统、气压调节系统、靶密封在陶瓷管内,构成一支结构紧凑、方便使用的电真空器件。常见的中子管有D-T中子管和D-D中子管等,相比于D-T中子管,D-D中子管因不使用放射性氚,对环境没有污染,更符合绿色可持续的发展理念,更有利于推广使用。中子管的中子产额受很多因素的影响,例如靶形状、离子源性能、中子管内真空条件等。其中,靶是中子管、中子发生器的关键部件,靶特性是中子管的重要参数之一。对于中子管靶的研究来说,靶材料的研究对推动产额的提高具有重要的意义。相比于传统的靶材料如锆、镧、钇、锆、钪、铒等,金属钛具有高的吸氘（氚）密度、原子序数小等特点,能够进一步提高中子管的中子产额,是一种新型的靶材料。然而,上述材料存在掉粉、高压击穿、脆性化合物析出、杂质离子降低吸附率、污染环境等诸多问题,这严重的制约了中子管产额的提高和中子管的进一步推广。因此,研究一种具有高产额、长寿命的环保靶材料成为了研究的热点之一。本文采用蒙特卡罗程序SRIM 2013模拟计算了入射离子在氘化聚乙烯靶、重水靶、有氧化层的钛靶和无氧化层的钛靶中的能量损失,使用公式计算得到了各个材料的中子产额。计算结果表明,氘代聚乙烯靶具有优异中子产额。在入射离子能量为120 ke V时,氘代聚乙烯靶的中子产额为9.6×108n/s,重水靶的中子产额为8.8×107n·s-1,无氧化层的钛靶的中子产额为6.32×107n·s-1,有氧化层的钛靶的中子产额为4.01×107n·s-1。进一步考虑到杂质离子和高温等因素,采用涂层对靶材料进行保护。分别选用金刚石、碳化硼、氮化硼、碳化硅、碳化铝作为保护涂层材料,模拟计算了各自的抗溅射能力。模拟结果表明,五种涂层材料对不同目标材料具有不同的抗溅射能力。对于氘化聚乙烯靶来说,使用金刚石作为涂层材料有最好的保护效果;对于重水靶来说,使用氮化铝作为涂层材料有最好的保护效果;对于纯钛靶来说,使用金刚石作为涂层材料有最好的保护效果。金刚石和氮化铝包覆材料最大限度地屏蔽了杂质离子,为研究高产额长寿命的中子管提供了一种新的方法。
郭文婷[2]（2021）在《密封中子管靶膜材料优化研究》文中认为中子管是由离子源、靶、加速系统、气压调节系统密封构成的一种小型加速器中子源。中子管被广泛应用于很多领域的研究工作中,如原子核物理、中子测井、中子照相、爆炸物检测、癌症治疗等等。中子产额是中子管的主要参数之一,提高中子管产额可以满足更多研究领域的要求。靶是中子管的主要部件之一,常用的密封中子管主要有商品靶中子管和自成靶中子管两种。靶膜不仅储存氘（氚）原子,而且是发生核反应的界面。中子管的产额和寿命会受到靶膜的制作工艺、材料、厚度等因素的影响。钛金属因其良好的吸氢性能而被广泛用作中子管靶膜材料,但其存在的缺陷会影响中子管的寿命和输出。中子管在工作过程中,离子束流经离子源引出时会伴随着C+、N+、O+等杂质离子,使氢在靶膜表面的吸附几率有所下降,影响离子在靶膜中的分布且易造成靶损伤。钛靶合金化可以有效地改善纯钛靶膜的氢脆现象,提高靶膜的抗溅射能力。在合金靶膜表面镀适当厚度的保护层,不仅可以防止靶膜的氧化,还可以减少入射离子的能量损失,提高中子管中子产额。本文首先用磁控溅射镀膜仪在Al2O3衬底上制备纯钛靶膜,并利用实验室中的中子监测系统测量了纯钛靶D-D中子管和自成靶中子管的中子产额,测量结果与模拟值符合较好。计算使用不同比例的三种合金靶（钪钛、钼钛、铌钛）中子管的靶中子产额和溅射产额。结果表明:中子产额随着入射束流能量的增加而增加,且比例为0.4的钪钛合金原子溅射产额相对较低。计算不同掺杂比例（0.2、0.4、0.6、0.8、1.0）镀有7.5 nm钯保护层的中子管中子产额。根据计算结果可知,比例为0.4的钪钛合金是理想的中子管靶膜材料,且镀7.5 nm厚的钯保护层可以进一步优化靶材,提高中子产额。计算了使用三种（潘宁、微波、射频）离子源的中子管中子产额,由于不同离子源引出的质子比不同,潘宁离子源的中子产额明显低于另外两种。尽管在中子管的实验操作中,中子产额的实际测量值低于理论值,但靶膜材料的优化仍可有效的提高中子管中子产额。
赵思佳[3]（2021）在《中子管微波离子源磁路及引出系统优化设计》文中提出中子管是一种加速器型中子源,由离子源,加速系统,靶,气压调节系统组成。它在石油测井、爆炸物和毒品检测、放射性医学和反应堆物理等领域具有广阔的应用前景。离子源作为中子管的重要组成部分之一,它将氘氚气体电离产生等离子体并引出成束。离子源的性能以及引出束流的品质会影响中子管的产额、寿命和稳定性等。不同离子源的工作机理不同,生成的等离子体内各类离子所占百分比也不同。中子管主要原理是内部的单原子氘氚离子发生反应生成中子,微波离子源产生的单原子离子比在80%以上,本文使用微波离子源作为中子管的注入源。微波离子源的性能受许多参数的影响,尤其是磁路结构和引出系统。对于2.45 GHz微波离子源,在微波窗处提供合适的磁场强度可提高微波吸收效率,磁场分布均匀的前提下增加ECR区数量可产生高密度等离子体。使用CST Studio Suite模拟了不同放电室壁材料的离子源内部磁场。通过实验以及仿真软件,设计了单磁环、双磁环、多磁环多种磁路系统以优化放电室的轴向磁场,并比较了轴向充磁和径向充磁双磁环在最佳模式下的磁场分布。不同应用的中子管对离子束有着不同的特殊要求,分别针对高产额中子管和标记中子管设计了引出系统。高产额中子管的束流强度大,易造成靶损伤进而影响中子管寿命。为其设计了双狭缝二电极引出系统,通过调整狭缝位置和大小使打到靶端的束流分布均匀并扩大离子束的轰击面积。带有α探测器的标记中子管常用于探测爆炸物位置等,其引出束流需被聚焦以形成小靶点。针对标记中子管设计了三电极引出系统,分别改变引出极的位置、厚度以及各电极的电压等参数实现小靶点要求。离子源最重要的目标之一就是制造高电流密度的离子束,为提高束流强度设计了一种在等离子电极后放置正偏压电极的引出系统。引出孔附近形成了高密度等离子体,可有效提高中子产额。
许旭[4]（2020）在《基于D-T中子发生器的中子活化实验平台的建立与应用》文中研究说明D-T中子发生器由于具有产生的中子单色性好,产额可控,可以小型化,安全性高等优点,在快中子辐射损伤、中子照相、中子活化分析、石油测井、爆炸物检测等领域有广泛的应用前景。中子活化分析技术具有穿透性好、测量精度高、测量时间短、可多元素测量、抗干扰能力强等优点。食品安全卫生是关系国计民生的重要问题之一,直接影响人民群众的身体健康,对食品生产、加工、运输、销售等环节进行实时在线检测具有重要的现实意义,本文旨在建立一套对面粉中滑石粉含量进行在线检测的中子活化分析系统。由于中子射线的特殊性,中子活化分析技术虽然在原理上比较清晰,但在工业应用时仍面临诸多技术难点,其中涉及中子源特性、中子防护、中子反射与慢化、探测器性能、解谱方法等多方面的问题。本文建立了一个基于D-T中子发生器的中子活化实验平台,并首次将中子活化方法应用于食品安全在线检测领域。根据中子发生器特性优化了实验条件,改进了解谱算法,提高了测量准确性。目前中子活化元素在线分析的商业应用主要集中在煤炭、水泥和矿石等重工业领域,本工作也为中子活化分析方法在更多元素检测场景的应用开拓思路,促进中子活化分析技术的产业化。论文的主要工作有:（1）通过理论计算和MCNP设计建模,设计并建造了50 cm混凝土加50 cm水箱的中子屏蔽室结构,并在屏蔽室门口设置了L形迷墙以防止中子因散射造成泄露。对中子和伽马剂量的MCNP模拟结果与实验测量结果较为一致,均低于辐射源安全标准限值2.5μSv?h-1。本工作与国外几组相似的工作相比,在较小的空间内实现了较好的防护效果,且使用的防护材料更经济。（2）使用铁、铜、铝三种常见易得的活化片在中子场中进行辐照,通过测量中子与三个活化片的五种中子活化反应产生的特征γ射线,计算出的五组中子产额相对误差<1.5%。测量了中子发生器在不同高压和束流强度下的中子产额情况,拟合出高压、束流强度与中子产额的经验公式。测量并研究了D-T中子发生器不同角度的中子通量差异,通过优化辐照样品在中子场中的位置,提高中子辐照样品的有效注量,从而提高辐照效率,还可以通过优化γ射线探测器在中子场中的位置,减少中子对γ射线探测器的干扰。（3）使用缓发γ射线中子活化分析法测量面粉中滑石粉含量。根据中子辐照样品的放射性生长和冷却曲线,优化辐照和测量时间,获取了统计性足够的特征峰计数,并通过本底分析处理减弱了本底对测量结果的影响。对比了3英寸Na I（Tl）探测器和2英寸La Br3（Ce）探测器的测量效果,给出了最优的测量方式,即3英寸Na I（Tl）探测器测量1779 ke V特征峰时,样品滑石粉含量与特征峰计数的线性相关系数>99.6%,对同一样品20次测量结果相对误差（精度）为2.07%,对滑石粉的探测下限达0.07%。建立了样品厚度、特征峰计数与样品滑石粉含量的经验曲线,修正了厚度对测量结果的影响。缓发γ射线中子活化分析法每次检测的样品质量小,探测下限低,测量精度好,但耗时长,因此适合实验室条件下的离线抽样测量。（4）使用瞬发γ射线中子活化分析法测量面粉中滑石粉含量。中子活化产生的瞬发γ能谱特征峰强度大,成分复杂,康普顿平台较高,重峰现象严重,如何从复杂的瞬发γ射线能谱中解析出准确的元素含量值是中子活化在线分析的核心问题。对滑石粉-面粉混合样品的中子活化瞬发γ能谱使用谱库最小二乘法进行全谱拟合计算,可获得较准确的含量结果。为减少不同样品内部中子能谱变化及γ自吸收情况不同对解谱带来的系统误差,改进了谱库最小二乘法,使得计算出的滑石粉含量与理论值的平均相对偏差从6.11%降至0.33%,对同一样品测量30次解出结果的相对误差从4.81%降至2.98%。瞬发γ射线中子活化分析法的探测下限虽然差于缓发γ射线中子活化分析法,但其检测时间可缩减到1 min,且一次可检测的样品质量更大,因此适合在生产线上对面粉进行在线测量。论文工作的创新点如下:（1）测量并分析了D-T中子发生器的中子角分布情况,提高了辐照效率。一方面d-t反应存在本征角分布,另一方面靶形状、中子在管内散射也将影响中子出射角分布。通过优化辐照样品在中子场中的位置,提高了中子辐照样品的有效注量;（2）建立了样品厚度、特征峰计数与样品滑石粉含量的经验曲线,修正了厚度对测量结果的影响;（3）改进了瞬发γ射线中子活化分析的解谱算法,减小了不同样品内部中子能谱、γ射线自吸收差异造成的系统误差,提高了测量结果的准确性,实现了高精度的在线检测。
吴志芳,刘锡明,王立强,苗积臣[5]（2020）在《射线技术在工业领域的应用》文中研究说明射线技术在工业生产中应用的广度和深度不断拓展,世界民用非动力核技术产业的规模已经达到了万亿美元。本文系统地介绍了射线技术在工业领域的应用与发展状况,尤其是我国在工业核仪器仪表、核分析、核测井、无损检测和辐照加工等方面的发展历程、取得的进步及面临的挑战,并提出了发展建议,展望发展趋势。
年瑞雪[6]（2019）在《靶膜材料及表面层对D-T中子管产额和靶寿命影响的研究》文中研究表明中子管是一种小型加速器中子源,它把离子源、加速系统、靶、气压调节系统密封在一个陶瓷管内,构成一支结构紧凑的电真空器件。它是一种进行中子物理及中子应用技术研究的重要中子源,广泛应用于中子测井、爆炸物及毒品检测、辐照育种、中子照相、在线中子活化分析等领域。针对不同应用研究,需要获得高中子产额和长寿命的中子管。靶特性是中子管的重要参数之一,中子管靶由靶膜和靶衬底两部分构成,靶膜在中子管内部用来储存氚气,也是发生氘氚核反应的界面,其制作工艺、材料、厚度等因素直接决定中子管产额和寿命。钛是迄今为止发现的吸氢密度最高的单质金属,常被用作中子管靶膜材料,但单质钛作中子管薄膜材料存在固有缺陷,如单质钛金属抗溅射能力差,吸氢后塑性、柔韧性及抗拉强度下降,易出现氢脆现象,甚至在体内产生大量裂纹影响使用。针对单质金属靶材料存在的缺陷,我们向钛靶膜材料中掺杂其他金属形成合金靶材料,来提高单质金属力学性能。不仅靶膜材料会影响中子管中子产额和寿命,在中子管靶运输和贮存过程中,靶膜表面易形成氧化层,也会影响中子产额与寿命。另外,中子管离子束流中存在杂质离子,轰击靶后置换出氚气并损伤靶,也会降低中子管的产额与寿命。本文首先利用SRIM软件计算纯钛靶表面具有氧化层的中子产额,与3He中子监测仪测得的纯钛靶中子产额进行比较,模拟结果与实验结果符合良好,证明了SRIM软件模拟本模型的可靠性,可利用其进行相关材料的开发及性能预测。之后改变入射离子能量、氧化层厚度、保护层材料、合金靶材料以及合金掺杂比例,利用SRIM研究以上条件对中子管中子产额和靶寿命的影响,结果表明合金靶材料提高靶的抗溅射能力,在靶表面镀保护层可进一步提高靶寿命,并防止靶表面氧化层的生成,获得高中子产额。最后经过大量模拟数据分析得到高产额和长寿命中子管的最佳靶设计方案。
王晓涛,彭慧,许忠杨,王寅宁,李雪琴[7]（2017）在《测井用密封型中子发生器管理建议》文中研究指明目的探讨测井用密封型中子发生器的辐射安全管理方法。方法以某测井企业S/N8227型和S/N8299型氚靶活度为3.70×1011Bq密封型中子发生器为例,通过估算工作人员在刻度和使用过程中的辐射影响,分析工作人员可能受到的年有效剂量。结果测井用密封型中子发生器刻度过程中,距离靶中心区400 cm处的剂量率为49.50μSv/h,工作人员受到的年最大有效剂量为0.50 mSv;测井作业完成1 h后,密封型中子发生器表面5 cm处的γ剂量率为10.0012.00μSv/h,100 cm处的γ剂量率为0.20μSv/h。结论对测井用密封型中子发生器应采取优化管理方法,将密封型中子发生器作为氚靶源形式实行豁免管理;在销售、使用过程中按照Ⅱ类射线装置进行管理。
邓仁双[8]（2017）在《脉冲中子能谱测井解释方法研究》文中进行了进一步梳理YX油田由于储层岩性差异大、矿物成分复杂、非均质性强以及在采油过程中采用的水驱油技术导致该地区地层水矿化度难以确定等问题,使中子寿命测井在该地区不再适用。为了有效监测地层剩余油饱和度,寻找潜力层,提高油气采收率,YX油田引进了脉冲中子能谱饱和度测井仪（PSSL）。该仪器集碳氧比能谱测井、中子寿命测井于一体,不受矿化度的限制,能够测量丰富的地层信息。建立具有地区性的解释模型有利于提高剩余油饱和度解释精度。论文第二章剖析了 PSSL的测井原理,主要介绍了 PSSL非弹性散射测量模式和俘获测量模式,详细分析了岩性、孔隙度、井眼环境及测井施工等因素对测井响应的影响。第三章对PSSL非弹性散射测量模式测井资料的处理解释方法进行了深入研究,提出了利用PSSL测井资料计算泥质含量、孔隙度、含油饱和度的方法,基于岩石物理体积模型建立了碳氧比剩余油饱和度解释模型和俘获测量模式剩余油饱和度解释模型,对于岩性、测井施工对测井资料的影响提出了校正方法。第四章通过对两口 PSSL测井资料的处理,验证了上述方法的可行性和正确性,解释符合率较高。研究表明,PSSL测井仪测量模式丰富,其测井资料能用于泥质含量、孔隙度、含油饱和度的计算。PSSL测井响应主要受岩性、孔隙度、井眼环境及测井施工等因素的影响。在PSSL测井资料的处理过程中,对含泥质、含钙质、零值漂移等影响进行校正处理,可提高解释精度。基于岩石物理体积模型并结合该地区未开发储层完井资料和PSSL测井资料建立的含油饱和度解释模型克服了没有刻度井资料的问题,应用效果好,地区适用性强。
王翠[9]（2016）在《中子管用三电极离子聚焦加速系统的仿真研究》文中研究说明中子发生器是一种广泛使用的中子源,其主要原理是通过氘氘反应产生的中子的能量为2.5MeV,或者是氘氚反应产生的中子能量为14MeV。对比于普通同位素中子源,它具有较高的中子产额,较好的单色能谱,并且没有伽玛本底,还可以产生脉冲中子,不用时可以关掉电源,保护容易,方便储存和运输管理;对比于反应堆或加速器中子源,其优势在于小体积,轻质量,较少的功率消耗,不需要真空系统和冷却设备,不更换氚靶,容易操作,管理维护简单,随着使用寿命的不断延长,最终可以取代天然放射性同位素源,因而适于推广应用。构成中子管的主要部件为离子源、离子加速系统和靶,在中子管产生中子的具体过程如下:首先由离子源产生离子,而这些离子将会被离子聚焦加速系统经过引出、然后聚焦（或发散）、漂移后投射到靶上进而才产生中子。离子聚焦加速系统在某种程度上决定了离子束流的特性,而中子管的中子产额以及工作稳定性和使用寿命等诸多重要参数也受到离子束流的影响。因此,有必要开展针对有关离子聚焦加速系统的研究工作。针对目前潘宁离子源中子管离子聚焦加速系统的广泛研究,对于不同应用需求的中子管对束流的要求,离子聚焦加速系统也可以有与之对应的的针对性设计,对于中子管设计的总体要求上就是对三电极中子管的设计进行讨论,为中子管设计提供了参考意见。本文首先从中子管的离子束仿真的基本数学理论出发,推导出了轴对称聚焦加速系统粒子在电磁场中运行的轨迹方程。分析了在正、负离子源情况下不同的电极形状、不同电场强度和磁感应强度条件下,束流形状的变化以及聚焦特性和靶上的束斑的变化情况,分析并运用三电极简化模型对中子管离子光学束流形状进行推导,这为中子管系统研究提供理论依据。实验中应用CST软件进行电磁场仿真工作,并且对结果进行理论分析,这样可以初步掌握小型潘宁离子源中子管聚焦加速系统的传输特性,既模拟仿真结果和理论推导的结果一致。
陈东东[10]（2016）在《基于氧活化测井技术的施工工艺及应用研究》文中认为为了提高石油采收率,目前各油田广泛采用向油层注入水、热蒸汽或化学聚合物等排驱采油技术。为了了解注入物的去向,来指导油田制定合理注采关系,就需要进行注入剖面测井。应用生产测井监测注入剖面,了解地层吸入能力,是改善和提高注采效率的有力技术手段。随着注入介质由单一的水变为聚合物、三元复合剂和CDG凝胶等物质,传统的注入剖面测试技术都存在各自相应的问题,为了克服这些传统测井方法所带来的问题,我们采用了一项新的测试技术-脉冲中子氧活化测井技术。本文针对脉冲中子氧活化测井仪在应用中出现的各类问题,开展了一系列的技术研究。在分析研究原有氧活化仪器的技术局限基础上,研制了适用范围广、测井时效高的新型氧活化仪器;根据油田的不同区块的地质特征和注入和生产井的开发现状,对不同类型的注入和气举生产井的现场施工工艺进行了系统研究;在总结实际测井经验基础上,对现场测试资料初步评价方法做了深入地研究和探讨。
二、测井用中子管寿命分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、测井用中子管寿命分析（论文提纲范文）
（1）中子管靶膜材料和涂层材料对中子输出及溅射产额的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 中子管/中子发生器的应用 |
| 1.2 中子管靶特性的研究现状 |
| 1.3 本文的研究内容 |
| 第二章 SRIM模拟与计算 |
| 2.1 SRIM模拟及计算方法 |
| 2.2 计算方法 |
| 2.2.1 D-D中子管中子产额计算方法 |
| 2.2.2 溅射产额的计算方法 |
| 第三章 D-D中子管中子产额的模拟与计算 |
| 3.1 无氧化层纯钛靶的中子产额 |
| 3.2 氧化层纯钛靶的中子产额 |
| 3.3 氘代聚乙烯靶和重水靶的中子产额 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 D-D中子管溅射产额的模拟与计算 |
| 4.1 不同涂层的钛靶的溅射产额 |
| 4.2 不同涂层的重水靶的溅射产额 |
| 4.3 不同涂层的氘代聚乙烯靶的溅射产额 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及攻读学位期间所获成果 |
| 致谢 |
（2）密封中子管靶膜材料优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第二章 模拟方法和实验测量 |
| 2.1 模拟方法 |
| 2.1.1 SRIM软件及MATLAB程序介绍 |
| 2.1.2 靶中子产额模拟方法 |
| 2.1.3 靶溅射产额模拟方法 |
| 2.2 实验 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 商品靶中子管靶产额模拟 |
| 3.1 靶中子产额模拟 |
| 3.2 靶溅射产额模拟 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 自成靶中子产额优化模拟 |
| 4.1 合金靶中子产额 |
| 4.2 有保护层合金靶中子产额 |
| 4.3 不同离子源合金靶中子产额 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间公开发表论文及着作情况 |
（3）中子管微波离子源磁路及引出系统优化设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第二章 中子管离子源及模拟方法 |
| 2.1 中子管的基本原理 |
| 2.2 离子源的种类及原理 |
| 2.2.1 潘宁离子源 |
| 2.2.2 微波离子源 |
| 2.2.3 射频离子源 |
| 2.3 CST软件介绍 |
| 第三章 磁路系统设计 |
| 3.1 微波离子源所需磁场条件 |
| 3.2 单磁环结构 |
| 3.3 双磁环结构 |
| 3.3.1 轴向充磁 |
| 3.3.2 径向充磁 |
| 3.4 多磁环结构 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 引出系统设计 |
| 4.1 高产额中子管引出系统 |
| 4.1.1 二电极引出系统 |
| 4.1.2 双狭缝式引出系统 |
| 4.2 标记中子管引出系统 |
| 4.2.1 三电极引出系统 |
| 4.2.2 偏压电极引出系统 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 本文研究内容总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间公开发表论文及着作情况 |
（4）基于D-T中子发生器的中子活化实验平台的建立与应用（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 D-T中子发生器简介 |
| 1.2.1 D-T中子发生器的原理 |
| 1.2.2 D-T中子发生器的优势 |
| 1.2.3 D-T中子发生器的技术参数 |
| 1.3 中子活化分析方法 |
| 1.3.1 中子活化分析方法的原理 |
| 1.3.2 中子活化分析的设备简介 |
| 1.3.3 中子活化分析的解谱算法 |
| 1.3.4 中子活化分析的应用 |
| 1.4 基于D-T中子发生器的中子活化分析的发展趋势及面临的问题 |
| 1.5 论文主要内容与结构 |
| 第二章 D-T中子发生器的辐射防护 |
| 2.1 快中子辐射防护的方法 |
| 2.2 D-T中子发生器的辐射屏蔽计算 |
| 2.3 辐射防护效果的MCNP模拟 |
| 2.4 中子/γ剂量的实验测量与MCNP模拟结果的对比 |
| 2.4.1 辐射剂量测量仪 |
| 2.4.2 测量结果及分析 |
| 2.5 辐射环境本底分析 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 D-T中子发生器的性能评价 |
| 3.1 14.1MeV中子的测量方法及测量仪器 |
| 3.2 中子产额测量 |
| 3.3 中子输出与高压、束流关系及稳定性研究 |
| 3.4 中子角分布测量 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 中子活化分析法测量面粉中的滑石粉 |
| 4.1 研究背景及意义 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 缓发γ射线中子活化分析法 |
| 4.3.1 实验装置 |
| 4.3.2 辐照和测量时长选择 |
| 4.3.3 实验测量过程 |
| 4.3.4 含量与峰面积计数标定 |
| 4.3.5 测量精度及探测下限 |
| 4.3.6 样品厚度对测量结果的影响 |
| 4.4 瞬发γ射线中子活化分析法 |
| 4.4.1 MCNP模拟对实验条件优化 |
| 4.4.2 实验测量过程 |
| 4.4.3 解谱方法及标定 |
| 4.4.4 测量精度 |
| 4.4.5 解谱算法改进 |
| 4.5 样品剩余放射性评价 |
| 4.6 两种方法的效果对比 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.1.1 主要工作 |
| 5.1.2 论文创新点 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（5）射线技术在工业领域的应用（论文提纲范文）
| 1 工业核仪器仪表 |
| 1.1 料位测量 |
| 1.2 密度测量 |
| 1.3 厚度测量 |
| ① 同位素测厚仪。 |
| ② X射线测厚仪。 |
| ③ X射线多功能板型仪(凸度仪)。 |
| 1.4 水分测量 |
| 1.5 流量/输送量测量 |
| 2 核分析 |
| 2.1 X射线荧光分析 |
| 2.2 瞬发γ射线中子活化分析 |
| 2.3 煤灰分测量 |
| ① 低能γ射线反散射法。 |
| ② 天然γ射线测量法。 |
| ③ 高能γ电子对效应法。 |
| ④ 双能γ射线透射法。 |
| 3 核测井 |
| 4 射线无损检测 |
| 4.1 计算机射线照相 |
| 4.2 数字辐射成像 |
| 4.3 工业CT |
| 4.4 中子成像 |
| 5 辐照加工 |
| 6 建议与展望 |
（6）靶膜材料及表面层对D-T中子管产额和靶寿命影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文研究内容 |
| 第二章 实验及计算方法 |
| 2.1 实验方法 |
| 2.1.1 靶膜的制备 |
| 2.1.2 中子产额测量 |
| 2.2 计算方法 |
| 2.2.1 SRIM软件 |
| 2.2.2 中子产额计算方法 |
| 2.2.3 溅射产额和靶寿命计算方法 |
| 第三章 D-T中子管中子产额模拟 |
| 3.1 氧化层靶中子产额 |
| 3.1.1 无氧化层纯钛靶中子产额 |
| 3.1.2 氧化层纯钛靶中子产额 |
| 3.1.3 无氧化层合金靶中子产额 |
| 3.1.4 氧化层合金靶中子产额 |
| 3.2 保护层靶中子产额 |
| 3.2.1 纯钛靶中子产额 |
| 3.2.2 合金靶中子产额 |
| 3.3 讨论 |
| 第四章 D-T中子管溅射产额和靶寿命模拟 |
| 4.1 无保护层靶的溅射产额和靶寿命 |
| 4.1.1 溅射产额 |
| 4.1.2 靶寿命 |
| 4.2 保护层靶的溅射产额和靶寿命 |
| 4.2.1 溅射产额 |
| 4.2.2 靶寿命 |
| 4.3 讨论 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间公开发表论文及着作情况 |
（7）测井用密封型中子发生器管理建议（论文提纲范文）
| 1 对象和方法 |
| 1.1 对象 |
| 1.2 方法 |
| 2 结果 |
| 2.1 密封型中子发生器刻度过程的辐射影响 |
| 2.2密封型中子发生器井下作业结束后感生放射性的影响 |
| 2.3 密封型中子发生器在运输、搬运、贮存以及正常工作过程的辐射影响 |
| 2.4 密封型中子发生器在异常情况下的辐射影响 |
| 2.5 密封型中子发生器的回收 |
| 3 讨论 |
（8）脉冲中子能谱测井解释方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究目的和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 脉冲中子测井方法概况 |
| 1.2.2 脉冲中子测井解释方法的研究现状 |
| 1.3 论文的主要研究内容和技术思路 |
| 1.3.1 主要研究内容 |
| 1.3.2 技术路线 |
| 第2章 PSSL测井的基本原理 |
| 2.1 中子与地层的相互作用 |
| 2.1.1 非弹性散射 |
| 2.1.2 弹性散射 |
| 2.1.3 辐射俘获 |
| 2.1.4 活化反应 |
| 2.2 PSSL测井仪概述 |
| 2.2.1 仪器组成 |
| 2.2.2 仪器特点 |
| 2.2.3 仪器技术指标 |
| 2.2.4 仪器测井的测量条件 |
| 2.3 PSSL主要测量模式及测量曲线 |
| 2.3.1 中子非弹性散射次生伽马能谱测量模式 |
| 2.3.2 中子俘获次生伽马能谱测量模式 |
| 2.3.3 中子非弹性散射-俘获次生伽马时间谱测量模式 |
| 2.3.4 中子俘获次生伽马时间谱测量模式 |
| 2.3.5 主要测量曲线 |
| 2.4 PSSL测井响应影响因素 |
| 2.4.1 孔隙度 |
| 2.4.2 岩性 |
| 2.4.3 含油饱和度 |
| 2.4.4 井眼环境 |
| 2.4.5 施工作业的影响 |
| 2.5 PSSL主要应用范围 |
| 第3章 PSSL测井数据处理及解释方法研究 |
| 3.1 泥质含量解释方法 |
| 3.1.1 套后自然伽马计算泥质含量 |
| 3.1.2 宏观俘获截面计算泥质含量 |
| 3.2 孔隙度解释方法 |
| 3.2.1 能谱确定孔隙度的理论基础 |
| 3.2.2 地层孔隙度指示曲线对比 |
| 3.2.3 地层孔隙度的计算方法 |
| 3.3 非弹性散射测量模式剩余油饱和度解释方法 |
| 3.3.1 解释模型建立的物理基础 |
| 3.3.2 碳氧比解释模型的体积模型 |
| 3.3.3 PSSL测井数据处理 |
| 3.3.4 解释模型的建立 |
| 3.3.5 解释模型的验证 |
| 3.4 俘获测量模式剩余油饱和度解释方法 |
| 3.4.1 解释模型的建立 |
| 3.4.2 解释模型各参数的确定 |
| 第4章 PSSL测井资料解释与分析 |
| 结论及建议 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及科研成果 |
（9）中子管用三电极离子聚焦加速系统的仿真研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 引言 |
| 第一章 中子发生器发展概述 |
| 1.1 中子管相关背景 |
| 1.2 中子管发生器的研究现状和发展趋势 |
| 1.3 潘宁负氢离子源的研究现状和产生机制 |
| 1.4 中子发生器的重要用途 |
| 1.5 本论文研究的意义 |
| 1.6 研究内容及论文结构 |
| 第二章 中子发生器工作原理及结构 |
| 2.1 中子的产生方式 |
| 2.2 中子管的基本原理 |
| 2.3 中子管的结构 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 中子管仿真的理论依据和软件介绍 |
| 3.1 束流的概念 |
| 3.2 静电透镜中的轨迹方程和三电极中子管的结构 |
| 3.2.1 静电透镜的轨迹方程 |
| 3.2.2 三电极中子管结构及离子聚焦系统的理论依据 |
| 3.2.3 负氢离子源中子管结构及离子聚焦系统的理论依据 |
| 3.3 对仿真软件CST STUDIO SUITE的简介 |
| 3.3.1 CST粒子工作室 |
| 3.3.2 CST STUDIO SUITE的仿真软件的内部算法 |
| 3.3.3 CST STUDIO SUITE的特点及优势 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 中子管束流引出及分布 |
| 4.1 中子管离子聚焦加速系统的特点对中子管性能的影响 |
| 4.2 三电极中子管离子聚焦系统的仿真 |
| 4.2.1 A极板与B极板间距离的改变所产生的影响 |
| 4.2.2 B极板电压变化所产生的影响 |
| 4.2.3 C极板电压变化所产生的影响 |
| 4.3 负氢离子源中子管电子和负氢离子分离的仿真研究 |
| 4.3.1 A极板与B极板间距离的改变所产生的影响 |
| 4.3.2 B极板电压变化所产生的影响 |
| 4.3.3 磁场强度变化所产生的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与建议 |
| 5.1 本论文的主要结论 |
| 5.1.1 三电极中子管的仿真结论 |
| 5.1.2 负氢离子源三电极中子管的仿真研究 |
| 5.2 创新点 |
| 5.3 进一步工作建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间公开发表论文及着作 |
（10）基于氧活化测井技术的施工工艺及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 前言 |
| 第一章 脉冲中子氧活化测井仪的改进研究 |
| 1.1 脉冲中子氧活化测井原理 |
| 1.2 脉冲中子氧活化测井仪的改进 |
| 1.2.1 脉冲中子氧活化测井仪简介 |
| 1.2.2 脉冲中子氧活化测井仪的改进 |
| 第二章 脉冲中子氧活化测井现场施工工艺研究 |
| 2.1 直井（小斜度）注入井现场施工工艺研究 |
| 2.1.1 注入水/聚合物井测井现场施工工艺 |
| 2.1.2 注CO_2井测井现场施工工艺 |
| 2.2 套后大斜度井及水平井现场施工工艺研究 |
| 2.2.1 套后大斜度及水平井输送施工工艺 |
| 2.2.2 套后水平注水井测井施工工艺研究 |
| 2.2.3 套后大斜度气举（找水）井施工工艺研究 |
| 第三章 脉冲中子氧活化资料评价方法研究 |
| 3.1 脉冲中子氧活化资料评价方法选择 |
| 3.1.1 常规井氧活化资料评价方法 |
| 3.1.2 非常规注入井氧活化资料评价方法 |
| 3.1.3 注CO_2条件下的氧活化资料评价方法 |
| 3.2 氧活化测井评价软件改进 |
| 3.2.1 氧活化流量计算软件改进 |
| 3.2.2 氧活化解释软件功能改进 |
| 第四章 脉冲中子氧活化测井技术应用 |
| 4.1 在两层管柱的配注井中的应用 |
| 4.2 在油套分注井的应用 |
| 4.3 在三层管柱的配注井中的应用 |
| 4.4 在水平井注水井的应用 |
| 4.5 在气举生产井的应用 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简介、发表文章及研究成果目录 |
| 致谢 |
四、测井用中子管寿命分析（论文参考文献）
- [1]中子管靶膜材料和涂层材料对中子输出及溅射产额的影响[D]. 刘佳溪. 吉林大学, 2021(01)
- [2]密封中子管靶膜材料优化研究[D]. 郭文婷. 东北师范大学, 2021(12)
- [3]中子管微波离子源磁路及引出系统优化设计[D]. 赵思佳. 东北师范大学, 2021(12)
- [4]基于D-T中子发生器的中子活化实验平台的建立与应用[D]. 许旭. 吉林大学, 2020
- [5]射线技术在工业领域的应用[J]. 吴志芳,刘锡明,王立强,苗积臣. 同位素, 2020(01)
- [6]靶膜材料及表面层对D-T中子管产额和靶寿命影响的研究[D]. 年瑞雪. 东北师范大学, 2019(09)
- [7]测井用密封型中子发生器管理建议[J]. 王晓涛,彭慧,许忠杨,王寅宁,李雪琴. 中国职业医学, 2017(04)
- [8]脉冲中子能谱测井解释方法研究[D]. 邓仁双. 西南石油大学, 2017(11)
- [9]中子管用三电极离子聚焦加速系统的仿真研究[D]. 王翠. 东北师范大学, 2016(04)
- [10]基于氧活化测井技术的施工工艺及应用研究[D]. 陈东东. 东北石油大学, 2016(02)